碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的根基是芯片，制做芯片的关键原材料依照历史背景分成：一代半导体材料（绝大多数为现阶段普遍应用的高纯硅），二代化合物半导体材料（、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、渗氮）。碳化硅因其优异的工艺性能：高带隙（相匹配高穿透静电场和高功率）、高导电率、高导热系数，将是将来较被普遍应用的制做半导体材料芯片的基本原材料
废耐火砖常期回收
碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的根基是芯片，制做芯片的关键原材料依照历史背景分成：一代半导体材料（绝大多数为现阶段普遍应用的高纯硅），二代化合物半导体材料（、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、渗氮）。碳化硅因其优异的工艺性能：高带隙（相匹配高穿透静电场和高功率）、高导电率、高导热系数，将是将来较被普遍应用的制做半导体材料芯片的基本原材料。
碳化硅作为一种耐材，不但具有良好的耐高温性能，而且也有着较好的硬度。根据碳化硅颜色的不同，可以将其分为绿碳化硅和黑碳化硅，即便是颜色的差异，性能和应用领域上也是有很大差别的。碳化硅也是磨料的一种，根据不同的加工方法，碳化硅的特点也是不同的。
碳化硅陶瓷的烧结工艺主要有重结晶碳化硅陶瓷、反应烧结碳化硅陶瓷、无压烧结碳化硅陶瓷、热压烧结碳化硅陶瓷、高温热等静压烧结碳化硅陶瓷以及化学气相沉积碳化硅等。碳化硅是一种典型的共价键结合的稳定化合物,加上它的扩散系数低,很难用常规的烧结方法达到致密化,须通过添加一些烧结助剂以降低表面能或增加表面积,以及采用特殊工艺处理来获得致密的碳化硅陶瓷。通过无压烧结工艺可以制备出复杂形状和大尺寸的SiC部件，因此，被认为是SiC陶瓷较有前途的烧结方法。尽管热等静压工艺可以获得复杂形状的SiC制品，但须对素坯进行包封，所以，也很难实现工业化生产。
碳化硅用作耐火材料的数量大于用作磨料。黑碳化硅耐火材料主要用以制造碳化硅制品，如重结晶碳化硅制品，燃气轮机构件，喷嘴，氮化硅结合碳化硅制件，高炉高温区衬材，高温窑炉构件等。黑碳化硅耐火材料中的含量大于90%，主要用以制造耐中等高温的窑炉构件。这些构件除利用碳化硅的耐热性，导热性外，在很多场合还兼用它的化学稳定性。黑碳化硅耐火材料含量要求大于83%，主要用于出铁槽，铁水包，炼锌业和海绵铁制造业等的内衬。
因为碳化硅是一种比较规格化的化学计量物质，能够进入碳化硅晶体中的元素种类是十分有限的，所以发明碳化硅的新种类十分的困难，所以到现在为止磨料碳化硅基本上只有黑碳化硅和绿碳化硅两种。在我们代号为C\GC。黑碳化硅一般是黑色或者是蓝黑色，绿碳化硅大多为绿色。但是黑色或者绿色碳化硅微分都是颜色比较浅，颗粒越细颜色越浅。需要注意的是碳化硅晶体表面的颜色问题，当碳化硅冶炼炉的冷却方式不对的时候，晶体表面会形成一层二氧化硅薄膜。这两部分的反射光形成干涉，就会让晶体变得几乎是好几种颜色的，成为氧化色。在破碎和化学处理之后，他们的大部分会恢复成原来的颜色，所以判断这部分晶体的颜色需要十分的慎重，必要的时候可以弄碎晶体从里面观察颜色。一般的情况下，绿碳化硅的化学纯度比较高，比黑碳化硅化学纯度高。规定也是这样的，但是有时候，黑碳化硅的纯度高于绿碳化硅的纯度的情况也是正常的。
（作者： 来源：）
