当今镀膜行业使用的制作方式主要有两种，一种是化学气相沉积，也就是化学镀膜（CVD），一种是物理气相沉积，也就是真空镀膜（PVD）。化学镀膜是把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在化学镀膜的过程中，容易产生溶液污染，如果镀件表层杂质多，镀出来的效果不好。化学镀膜需要的反应温度很高，一
pvd真空镀膜加工
当今镀膜行业使用的制作方式主要有两种，一种是化学气相沉积，也就是化学镀膜（CVD），一种是物理气相沉积，也就是真空镀膜（PVD）。化学镀膜是把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在化学镀膜的过程中，容易产生溶液污染，如果镀件表层杂质多，镀出来的效果不好。化学镀膜需要的反应温度很高，一般要控制在 1000℃左右，但很多基体材料是无法经受如此高温，性能变坏。如在硬质合金刀具上蒸镀 TiN，基体扩散出来的碳会与溶液发生反应而形成脱碳层，该层韧性差，抗弯强度低，造成刀具使用寿命缩短。而 PVD 技术解决了化学镀膜中的溶液污染问题，不会产生有毒或有污染的物质，镀出来的膜层硬度更高，性和耐腐蚀性好，性能更稳定，可制备多姿多彩的膜层，镀制硬质合金刀具可使其寿命提高 2-10 倍。
因此，从行业的技术发展趋势来看，等离子处理、真空法将成为未来行业技术发展的方向。
真空手套箱用磁控溅射离子镀技术为黄铜电镀亮铬的卫生洁具镀制ZrN膜。真空手套箱设备采用基材为锆的非平衡磁控溅射靶和中频电源，以及脉冲偏压电源。
(1)抽真空
5 X 10-3～6.6 x 10-13Pa本底真空。真空手套箱设备加热温度应在真空室器壁放气后又回升到100～150℃。
(2)轰击清洗
真空度：通人气真空度保持在2～3Pa。轰击电压：800～1000V，脉冲占空比20%。轰击时间：10min。
(3)手套箱
①沉积锆底层
真空度：通入气，真空度保持在s x l0-1Pa。靶电压：400—550V，靶功率15 N 30W/Crrr2。脉冲偏压：450～500V，占空比20 %。手套箱时间：5～10min。
②镀ZrN膜
真空度：通入氮气，真空度保持在(3～5) x 10-1Pa。靶电压：400～550V，靶电流随靶的面积增大而加大。脉冲偏压：150～200V，占空比80 %。手套箱时间：20～30min。
由于真空手套箱磁控溅射技术中金属离化率低，不容易进行反应沉积，获得化合物膜层的工艺范围比较窄。真空手套箱设备可采用气体离子源将反应气体离化，扩大反应沉积的工艺范围。也可以采用柱状弧源产生的弧等离子体作为离化源，柱状弧源还是辅助手套箱源。
金百辰智能科技（浙江）有限公司从事汽车零部件、家电类、机械配件等塑胶成型与pvd镀膜工艺加工。
pvd真空镀膜加工与您分享真空蒸镀工艺实例 以塑料金属化为例,真空蒸镀工艺包括：镀前处理、镀膜及后处理。
真空蒸镀的基本工艺过程如下：
(1)镀前处理，包括清洗镀件和预处理。具体清洗方法有清洗剂清洗、化学溶剂清洗、超声波清洗和离子轰击清洗等。具体预处理有除静电，涂底漆等。
(2)装炉，包括真空室清理及镀件挂具的清洗，蒸发源安装、调试、镀件褂卡。
(3)抽真空，一般先粗抽至6．6Pa以上，更早打开扩散泵的前级维持真空泵，加热扩散泵，待预热足够后，打开高阀，用扩散泵抽至6×10-3Pa半底真空度。
(4)烘烤，将镀件烘烤加热到所需温度。
(5)离子轰击，真空度一般在10Pa～10-1Pa，离子轰击电压200V～1kV负高压，离击时间为5min～30min,
(6)预熔，调整电流使镀料预熔，除气1min～2min。
(7)蒸发沉积，根据要求调整蒸发电流，直到所需沉积时间结束。
(8)冷却，镀件在真空室内冷却到一定温度。
(9)出炉，．取件后，关闭真空室，抽真空至l × l0-1Pa，扩散泵冷却到允许温度，才可关闭维持泵和冷却水。
(10)后处理，涂面漆。
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