河北低压降肖特基二极管来电咨询 强元芯电子厂家

ASEMI肖特基二极管MB10200FAC 编辑：L ASEMI肖特基二极管系列MB10200FAC，电性参数为10A 200V，芯片材质采用俄罗斯Mikron芯片，内含1个95MIL的大芯片，大芯片足 10A的正向电流和0.75V的正向电压，可承受175A浪涌电流， 漏电流为10UA，恢复时间小于等于5nS。 MBR10200FAC属ITO-220A
低压降肖特基二极管


ASEMI肖特基二极管MB10200FAC

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ASEMI肖特基二极管系列MB10200FAC，电性参数为10A 200V，芯片材质采用俄罗斯Mikron芯片，内含1个95MIL的大芯片，大芯片足 10A的正向电流和0.75V的正向电压，可承受175A浪涌电流， 漏电流为10UA，恢复时间小于等于5nS。 MBR10200FAC属ITO-220AC全塑封封装，有2个引脚，正极输入，负极输出。全塑封绝缘性能高。








MBR30100CT肖特基二极管台湾ASEMI


MBR30100CT肖特基二极管，台湾ASEMI，电性参数为30A 100V，ASEMI产品表面采用激光镭射印字打标，黑胶材质是采用进口环氧塑脂材料，引脚厚度升级，厚度达0.41mm；所用的框架、环氧塑封胶以及无铅焊片、后端引线电镀都是采用环保进口材料，保证出厂合格率。











12年来，ASEMI凭借矢志不移的信念和孜孜不倦的态度，ASEMI坚持只做ASEMI，在电子行业这一个发展的领域中留下了一个又一个属于我们的脚印，也留下了一个又一个的成就,也使得ASEMI被越来越多的内外客户接受认可和追捧。



ASEMI肖特基二极管MBR30100FCT

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ASEMI肖特基二极管MBR30100FCT是一种低功耗、高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，具有反向恢复时间短，速度快，有效防止浪涌，减少开通瞬间的功耗等功能。其封装为：TO-220；电性参数正向电流为30A，反向耐压为100V；正向峰值浪涌电流为200A，反向恢复时间：＜5ns，芯片尺寸：122MIL.















ASEMI肖特基二极管MBR60200PT


ASEMI肖特基二极管采用高抗冲击力的米开朗其罗芯片，是整流。

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