变频器功率场效应晶体管在提高击穿电压和增大电流方面进展较慢，故在变频器中的应用尚不能居主导地位。2、绝缘栅双极晶体管（IGBT）IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物，是栅极为绝缘栅结构（MOS结构）的晶体管，它的三个极分别是集电极C、发射极E和栅极G。工作特点是，控制部分与场效应晶体管相同，控制信号为电压信号Uge，输入阻抗很高，栅极电流I≈0，故驱动功率很小。而起主电路
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变频器功率场效应晶体管在提高击穿电压和增大电流方面进展较慢，故在变频
器中的应用尚不能居主导地位。2、绝缘栅双极晶体管（IGBT）IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物，是栅极为绝缘栅结构（MOS结构）的晶体管，它的三个极分别是集电极C、发射极E和栅极G。工作特点是，控制部分与场效应晶体管相同，控制信号为电压信号Uge，输入阻抗很高，栅极电流I≈0，故驱动功率很小。而起主电路部分则与GTR相同，工作电流为集电极电流I。
变频器用GTR的选用⑴Uceo通常按电源线电压U峰值的2倍来选择。Uceo≥2厂2U在电源电压为380V的变频器中，应有Uceo≥2厂2U*380V=1074.8V，故选用Uceo=1200V的GTR是适宜的。⑵Icm按额定电流In峰值的2倍来选择Icm≥2厂2InGTR是用电流信号进行驱动的，所需驱动功率较大，故基极驱动系统比较复杂，并使工作频率难以提高，这是其不足之处。
变频调速在调频范围、静态精度、动态、系统效率、完善的保护功能、容易实现自动控制和过程控制等诸方面是以往的调压调速、变极调速、串级调速、滑差调速和液力耦合器调速等无法比拟的。变频器是公认的交流电动机有前途的调速方案，代表今后电气传动的发展方向。近三十多年来变频调速已在钢铁、冶金、石油、化工、纺织、化纤、轻工、造纸、橡胶、塑料、电力、水务等行业中得到广泛应用。
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