光刻工艺主要性一
光刻胶不仅具有纯度要求高、工艺复杂等特征，还需要相应光刻机与之配对调试。一般情况下，一个芯片在制造过程中需要进行10~50道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求。下游发展趋势光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。
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NR9 3000P光刻胶公司
光刻工艺主要性一
光刻胶不仅具有纯度要求高、工艺复杂等特征，还需要相应光刻机与之配对调试。一般情况下，一个芯片在制造过程中需要进行10~50道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求。下游发展趋势光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。
针对不同应用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。因此，通过调整光刻胶的配方，满足差异化的应用需求，是光刻胶制造商核心的技术。
此外，由于光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小，而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效应。光刻分辨率与曝光波长、数值孔径和工艺系数相关。
NR9-3000PYNR9 3000P光刻胶公司
五、曝光
在这一步中，将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。光刻胶中的感光剂会发生光化学反应，从而使正光刻胶被照射区域（感光区域）、负光刻胶未被照射的区域（非感光区）化学成分发生变化。这些化学成分发生变化的区域，在下一步的能够溶解于特定的显影液中。近年来，尽管光刻胶研发有了一定突破，但国产光刻胶还是用不起来。
在接受光照后，正性光刻胶中的感光剂DQ会发生光化学反应，变为乙烯酮，并进一步水解为茚并羧酸（Indene-Carboxylic-Acid, CA），羧酸在碱性溶剂中的溶解度比未感光部分的光刻胶高出约100倍，产生的羧酸同时还会促进酚醛树脂的溶解。利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移。5,显影液在已经曝光的硅衬底胶面喷淋显影液，或将其浸泡在显影液中，正胶是曝光区、而负胶是非曝光区的胶膜溶入显影液，胶膜中的潜影显现出来，形成三维图像。
曝光方法：
a、接触式曝光（Contact Printing）掩膜板直接与光刻胶层接触。
b、接近式曝光（Proximity Printing）掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。
c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。
d、步进式曝光(Stepper)
NR77-15000P
9，去胶:湿法去胶，用溶剂、用NONG硫酸。LCD市场助力LCD面板总出货面积增长，LCD光刻胶需求增加。负胶，98%H2SO4+H2O2+胶=CO+CO2+H2O,正胶：BIN酮,干法去胶（ash）氧气加热去胶O2+
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