铝合金产品传统的三酸抛光的化学工艺配方为：磷酸80%，硫酸10%，10%。目前磷酸的价格为5400元/吨，硫酸700元/吨，2300元/吨（以上价格仅作为参考）。那么我们传统的配方成本为：磷酸800ml*1.70*5.40=7.344元，硫酸100ml*1.84*0.7=0.13元，100ml*1.40*2.30=0.32元，那么一升抛光液合计的成本为7.8元。目前我公司研制成
化学抛光销售
铝合金产品传统的三酸抛光的化学工艺配方为：磷酸80%，硫酸10%，10%。目前磷酸的价格为5400元/吨，硫酸700元/吨，2300元/吨（以上价格仅作为参考）。那么我们传统的配方成本为：磷酸800ml*1.70*5.40=7.344元，硫酸100ml*1.84*0.7=0.13元，100ml*1.40*2.30=0.32元，那么一升抛光液合计的成本为7.8元。目前我公司研制成功的OY系列铝处理化学抛光工艺，磷酸为500ml/l,硫酸500ml/l,光亮剂20ml/l, 成本核算为：500ml*1.70*5.40=4.59元；硫酸500*1.84*0.7=0.644;光亮剂计0.65元，合计5.85元。因此，我公司OY系列铝处理工艺，成本足足下降了20%。而且OY系列产品在处理铝的时候,无任何黄烟，大大的改善了生产环境；处理成品率可以在到98%以上，几乎无因为抛光而造成的报废品；光亮度好，与三酸处理无异；维护管理容易，溶液性能稳定。因此，我公司极力推荐使用本产品。
氧化抛光液氧化抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料的氧化研磨液，该研磨液具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。适用于高精密光学仪器，光学镜头，微晶玻璃基板，晶体表面、集成电路光掩模等方面的精密抛光。氧化铝和碳化硅抛光液是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液，主要成分是微米或亚微米级的磨料。主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。
半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
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