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ASEMI肖特基二极管MB10200FAC 编辑：L ASEMI肖特基二极管系列MB10200FAC，电性参数为10A 200V，芯片材质采用俄罗斯Mikron芯片，内含1个95MIL的大芯片，大芯片足 10A的正向电流和0.75V的正向电压，可承受175A浪涌电流， 漏电流为10UA，恢复时间小于等于5nS。 MBR10200FAC属ITO-220A
二极管肖特基


ASEMI肖特基二极管MB10200FAC

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ASEMI肖特基二极管系列MB10200FAC，电性参数为10A 200V，芯片材质采用俄罗斯Mikron芯片，内含1个95MIL的大芯片，大芯片足 10A的正向电流和0.75V的正向电压，可承受175A浪涌电流， 漏电流为10UA，恢复时间小于等于5nS。 MBR10200FAC属ITO-220AC全塑封封装，有2个引脚，正极输入，负极输出。全塑封绝缘性能高。








MBR30200PT肖特基二极管台湾ASEMI


MBR30200PT肖特基二极管台湾ASEMI，正向电流：30A，反向耐压：200V，正向压降：0.92V，反向电流：0.5uA，反向恢复时间：＜5ns，封装：TO-247/3P。










强元芯从技术和生产原料两方面入收，严把质量关，通过改良持术，提高用户产品体验，更通过保证入库物料产量，无一不是为提高产量努力。自2008年起，ASEMI整流桥产品创造了无不良率的，受到客户一致认同。






ASEMI低压降肖特基二极管SB10100LCT


ASEMISB10100LCT是一款拥有超低正向压降的肖特基二极管，其电性参数为10A 100V，封装为TO-220AB封装。一款低压降的肖特基二极管，普通的肖特基二极管压降在0.8V左右，已经比普通的二极管1.1V的电压降低了很多，而SB10100LCT的压降更是降低到0.56V，比普能的二极管消耗低了近40%，大大降低了电路中不必要的损耗。















ASEMI肖特基二极管MBR60200PT


ASEMI肖特基二极管采用高抗冲击力的米开朗其罗芯片，是整流。














●本产品为共阴二极管符号标示

●【一般是两端输入，中间输出】

●【 表示里面集成两个二极管 】

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