由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。常见的方法是将石英砂与焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入和木屑，置入电炉中，加热到2000°C左右高温，经过各种化学工艺流程后得到碳化硅微粉。碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成为一种重要的磨料，但其应用范围却超过一般的磨料。例如，它所具有的耐高温性、导热性而成为隧道窑或梭式窑的窑具材料之一，它所具有的导电性使其成为一种重要的电加热元
硅化碳供应商
由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。常见的方法是将石英砂与焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入和木屑，置入电炉中，加热到2000°C左右高温，经过各种化学工艺流程后得到碳化硅微粉。碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成为一种重要的磨料，但其应用范围却超过一般的磨料。例如，它所具有的耐高温性、导热性而成为隧道窑或梭式窑的窑具材料之一，它所具有的导电性使其成为一种重要的电加热元件等。
碳化硅因其性能好，硬度高，磨削力强被广泛应用于磨料行业，作为磨料中很重要的一项性能——强度高也是磨料用碳化硅相较于其他产品有优势的地方。强度高，其切削能力高，碳化硅磨料粉碎的慢，其使用寿命就长。那么碳化硅的强度大小该如何判断呢？
碳化硅的强度是在静负荷下用压磨粒的方法检验的，取5克碳化硅样品放到圆柱盘表面，上方加放另一个圆柱盘，加压至30KG/cm2，筛除压碎的碳化硅粒，取未压碎部分的重量与原碳化硅样品总重量做比值，比值越大，碳化硅的强度越大，反之，则说明碳化硅的强度小。
随着节能减排、新能源并网、智能电网的发展，这些领域对功率半导体器件的性能指标和可靠性的要求日益提高，要求器件有更高的工作电压、更大的电流承载能力、更高的工作频率、更高的效率、更高的工作温度、更强的散热能力和更高的可靠性。经过半个多世纪的发展，基于硅材料的功率半导体器件的性能已经接近其物理极限。因此，以碳化硅（SiC）、氮化（GaN）等为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视。和国际大型企业纷纷投入到碳化硅和氮化的研发和产业化中，产业链覆盖材料、器件、模块和应用等各个环节。
一般情况下，碳化硅在高温氧化气氛下的不稳定性是十分显著的，然而它却可以在1600℃的氧化气氛中长期使用。
碳化硅材料一般在空气中加热到1000-1300℃时，它仅稍微氧化，生成了sio2玻璃保护层。1300℃时保护层中开始结晶出方石英，相变引起了开裂，从而氧化速度有所增加。在1500-1600℃时，因二氧化硅保护层达到了一定的厚度，进一步的氧化作用停止了。 当达到1627℃以上时，就此发生了2sio2+sic=3sio+co。
不同的环境所发生的反应也有所不同，在使用碳化硅原材料的基础上，也应该对碳化硅原材料性能及使用方面有所了解，这样才能更好的生产出的碳化硅材料，例如：碳化硅球，碳化硅脱氧剂，碳化硅粒度砂等等。
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