考虑到当前国内的半导体产业投资基本上进入了主导的投资阶段，2014年大金的成立开启了一轮国内投资半导体的热潮，第三代半导体取得技术突破无论是资金，还是产业资本都纷纷进入这个领域。碳化硅与氮为主的材料随着碳化硅和氮化材料研发取得进展，开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，与国外相比水平较低，阻碍国内第三代半导体研究进展的重要因素是原始问题。3-10mm的碳化硅
65碳化硅球规格
考虑到当前国内的半导体产业投资基本上进入了主导的投资阶段，2014年大金的成立开启了一轮国内投资半导体的热潮，第三代半导体取得技术突破无论是资金，还是产业资本都纷纷进入这个领域。碳化硅与氮为主的材料随着碳化硅和氮化材料研发取得进展，开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，与国外相比水平较低，阻碍国内第三代半导体研究进展的重要因素是原始问题。3-10mm的碳化硅小球，则多以适用于小型的中频炉，冲天炉等。
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碳化硅（又名：碳硅石、金钢砂或耐火砂），化学简式：SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物，莫桑石中。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用广泛、经济的一种。碳化硅硬度仅次于金刚石，具有很强的性，管，叶轮，泵室，浴缸，矿斗内衬的理想材料，铸铁的性。 我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm2。
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