碳化硅（SIC）是半导体界公认的“一种未来的材料”，是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。预计在今后5～10年将会发展和有显著成果出现。促使碳化硅发展的主要因素是硅（SI）材料的负载量已到达极限，以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。 根据数据显示，碳化硅 (SiC)电力电子市场是具体而实在，且发展前景良好。这种趋势非但不会改变，碳化硅行业还会进一步向前发展
碳化硅产品
碳化硅（SIC）是半导体界公认的“一种未来的材料”，是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。预计在今后5～10年将会发展和有显著成果出现。促使碳化硅发展的主要因素是硅（SI）材料的负载量已到达极限，以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。 根据数据显示，碳化硅 (SiC)电力电子市场是具体而实在，且发展前景良好。这种趋势非但不会改变，碳化硅行业还会进一步向前发展。用户正在尝试碳化硅技术，以应用于具体且具有发展前景的项目。
作为工业上批量生产碳化硅的技术，已知一种方法，将含硅(Si)的硅酸质原料(例如硅砂)和含碳的碳质原料(例如石油焦)作为原料，在艾奇逊炉中以1600°C以上的条件进行加热，由此通过直接还原反应来制造碳化硅。在以往以来所进行的这种利用艾奇逊炉的制造中，原料中杂质含有率高，难以进行杂质的控制，因此无法制造高纯碳化硅粉末。
因此，提出了对纯度低的碳化硅粉末进行高纯度化的方法。
脱硅处理时，除被硅的氧化所消耗的氧之外，使供给给铁水的氧量以相对于装入上述转炉型精炼容器内的铁水和冷铁源的合计质量的单耗计，在2Nm3/t以上；冷铁源为选自废铁或直接还原铁和冷铁中的至少一种；从脱硅处理结束时到排出脱硅炉渣之间的时间在4分钟以内；含有CaO作为主要成分的辅助原料为选自转炉渣和在实施铁水包精炼时生成的炉渣(铁水包渣)中的至少一种；含硅物质，使用以65碳化硅为主要成分的辅助原料；
碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种，都属α-SiC。①黑碳化硅含SiC约65-95%，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。②绿碳化硅含SiC约97%以上，自锐性好，大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨高速具。此外还有立方碳化硅，它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体，用以制作的磨具适于轴承的超精加工，可使表面粗糙度从Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米。
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