一种光刻工艺的显影方法，其特征在于，包括：提供半导体晶片，在所述半导体晶片上具有光敏材料层；向所述光敏材料层喷洒显影液，使显影液布满整个光敏材料层表面；光刻工艺的显影方法，其特征在于，包括： 提供半导体晶片，在所述半导体晶片上具有光每文材料层； 向所述光敏材料层喷洒显影液，使显影液布满整个光敏材料层表 面；凹凸面曝光显影公司
用化学显影液溶解光刻胶经过曝光后可溶解区域的过程称为显影，其主要目的是将
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一种光刻工艺的显影方法，其特征在于，包括：提供半导体晶片，在所述半导体晶片上具有光敏材料层；向所述光敏材料层喷洒显影液，使显影液布满整个光敏材料层表面；光刻工艺的显影方法，其特征在于，包括： 提供半导体晶片，在所述半导体晶片上具有光每文材料层； 向所述光敏材料层喷洒显影液，使显影液布满整个光敏材料层表 面；凹凸面曝光显影公司
用化学显影液溶解光刻胶经过曝光后可溶解区域的过程称为显影，其主要目的是将光刻板上的图形用光刻胶地到晶圆片上，即溶解掉不需要的光刻胶，从而在光刻胶膜上获得所需要的图形。光刻胶被显影液溶解后再用去离子水清洗晶圆片表面并旋转甩干。为了获得良好的显影效果，有些厂家也采用多次旋覆浸没的办法。相对传统显影方式而言，旋覆浸没显影的每一片晶圆使用的都是新的显影液，提高了晶圆片间的均匀性，并且旋覆浸没显影减小了温度的影响，实现了对显影均匀性的良好控制。凹凸面曝光显影公司
曝光显影方法工艺流程长，人力、物力需求大，设备投入大，还易造成产品不良率增加，因此现有技术还有待改进和发展。
曝光显影工艺，本申请提供的曝光显影工艺流程简单，且提升了制程良率。
有鉴于此，本申请提供了一种曝光显影工艺，
提供一种曝光显影的方法，包括如下步骤：
粗抛步骤：装上抛光风轮利用废砂片把风轮表面修复平整，把青蜡打到修复平整的风轮上，把需要抛光的产品反面向下放在抛光治具上进行抛光作业；
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显影分为正胶显影和负胶显影。正胶显影是将感光部分的光刻胶溶出,留下未感光部分的胶层;负胶显影是将未感光部分的光刻胶溶除,留下感光部分的胶膜。显影液喷洒到晶片上进行显影后,经过漂洗等工艺,很难再进行回收,这样势必消耗大量的显影液,造成浪费。针对这种情况,本文提出了一种间歇悬浮式厚胶显影工艺,很好的解决了上述问题。凹凸面曝光显影公司
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