无锡肖特基二极管正负服务为先「多图」

台湾ASEMI肖特基二极管MBR30100DC 编辑：L 台湾ASEMI肖特基二极管MBR30100DC全部采用俄罗斯Mikron扩散高抗击芯片，内置122Mil大规格整流芯片；确保平均输出30A的电流；反向耐压值达到100V；反向恢复时间5ns。封装为TO-263封装，MBR30100DC的铜材质镀锡引脚与的SIO2塑封硅胶，台资工厂封装测试。
肖特基二极管正负


台湾ASEMI肖特基二极管MBR30100DC

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台湾ASEMI肖特基二极管MBR30100DC全部采用俄罗斯Mikron扩散高抗击芯片，内置122Mil大规格整流芯片；确保平均输出30A的电流；反向耐压值达到100V；反向恢复时间5ns。封装为TO-263封装，MBR30100DC的铜材质镀锡引脚与的SIO2塑封硅胶，台资工厂封装测试。





















ASEMI低压降肖特基15V45

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ASEMI半导体15V45是一款采用277封装的低压降肖特基产品，这款产品的设计优势对于体积大幅压缩，有效缩小应用产品的体积空间。ASEMI半导体15V45压降控制在0.38V的压降是应用在高频率充电器产品的较好选择。目前市面上已经有华为、小米等公司的充电器产品采用此款封装的低压降肖特基二极管成功应用案例。高超的工艺与电性表现使得ASEMI半导体15V45低压降二极管行业持续高增。









SB30100LCT低压降肖特基二极管，台湾ASEMI


SB30100LCT低压降肖特基二极管，台湾ASEMI，它的封装是TO-220，电性参数：30A，100V，芯片材质：SI，正向电流：30A，芯片个数：2，正向电：0.66V，芯片尺寸94MIL，浪涌电流Ifsm：200A；漏电流小于等于10UA，工作温度问-40~170℃，恢复时间(Trr)：<5nS，引线数量：3。ASEMISB30100LCT在电子市场研发趋势凸显,主要原因是芯片采用俄罗斯进口Mikron芯片，保障了产品的！













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