二次电子像的阴影效应不明显这些不同细节的部位发出的二次电子数各不相同，从而产生亮暗不一的衬度。由于二次电子的能量小，用 E-T探测器检测时，仅需在其前面的栅网上加几百伏的正电位，常施加的电位为+250~+300V，即通过该电位就可把试样上发射出来的大部分二次电子吸引过来，所以二次电子像的阴影效应不明显。在二次电子探测器所对应的立体角内也能接收到相应的一小部分背散射电子，所以
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二次电子像的阴影效应不明显
这些不同细节的部位发出的二次电子数各不相同，从而产生亮暗不一的衬度。由于二次电子的能量小，用 E-T探测器检测时，仅需在其前面的栅网上加几百伏的正电位，常施加的电位为+250~+300V，即通过该电位就可把试样上发射出来的大部分二次电子吸引过来，所以二次电子像的阴影效应不明显。在二次电子探测器所对应的立体角内也能接收到相应的一小部分背散射电子，所以在二次电子像中也包含了一小部分背散射电子的信息，如图b中对应的背散射电子成分像的一些衬度信息也能在图a中反映出来，只不过图a中所显现的原子序数的衬度没有像图b中那么明显而已。
半导体器件(IC)研究中的特殊应用
在半导体器件(IC)研究中的特殊应用：
1)利用电子束感生电流EBIC进行成像，可以用来进行集成电路中pn结的定位和损伤研究
2)利用样品电流成像，结果可显示电路中金属层的开、短路，因此电阻衬度像经常用来检查金属布线层、多晶连线层、金属到硅的测试图形和薄膜电阻的导电形式。
3)利用二次电子电位反差像，反映了样品表面的电位，从它上面可以看出样品表面各处电位的高低及分布情况，特别是对于器件的隐开路或隐短路部位的确定尤为方便。
4、利用背散射电子衍射信号对样品物质进行晶体结构(原子在晶体中的排列方式)，晶体取向分布分析，基于晶体结构的相鉴定。
聚焦电子束与试样相互作用
由电子发射的能量为 5 ～ 35keV 的电子，以其交 叉斑作为电子源，经二级聚光镜及物镜的缩小形成具有一定能量、一定束流强度 和束斑直径的微细电子束，在扫描线圈驱动下，于试样表面按一定时间、空间顺序作栅网式扫描。聚焦电子束与试样相互作用，产生二次电子发射(以及其它物 理信号)，二次电子发射量随试样表面形貌而变化。二次电子信号被探测器收集 转换成电讯号，经视频放大后输入到显像管栅极，调制与入射电子束同步扫描的 显像管亮度，得到反映试样表面形貌的二次电子像。
如何选择高加速电压的缺点
加速电压越高入射电子束的波长越短，也就越容易得到高分辨力的图像，还有抗外部电磁场的干扰能力也会增强，也不易受到试样表层污染斑的影响，所以高的加速电压比较适合拍摄高倍率的图像。
选择高加速电压的缺点，所获得的图像会缺少表面信息和细节，易呈现高反差，特别是会明显变大边缘效应，使得到的图像欠柔和，也会使图像容易呈现生硬的感觉。另外，高的加速电压、大的束斑也容易造成试样的放电和损伤，以及图形的漂移。
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