四氟化碳的用途与作用 :
四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳在通常环境下是相对惰性的，在不通风的地方会引起窒息。在射频等离子体环境中，氟自由基表现为典型的三氟化碳或二氟化碳的形式。高纯度的四氟化碳能很好的控制加工过程，使尺寸和形状得到更好的控制，这不同于其他的卤烃遇到空气或氧气时不利于
四氟化碳
四氟化碳的用途与作用 :
四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳在通常环境下是相对惰性的，在不通风的地方会引起窒息。在射频等离子体环境中，氟自由基表现为典型的三氟化碳或二氟化碳的形式。高纯度的四氟化碳能很好的控制加工过程，使尺寸和形状得到更好的控制，这不同于其他的卤烃遇到空气或氧气时不利于各种特殊的控制（如半导体各项异性控制）。
四氟化碳在900℃时，不与铜、镍、钨、钼反应，仅在碳弧温度下缓慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015％（重量比），然而与可燃性气体燃烧时，会分解产生有毒氟化物。在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。在900℃时，不与铜、镍、钨、钼反应，仅在碳弧温度下缓慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015%(重量比)，然而与可燃性气体燃烧时，会分解产生有毒氟化物。
它在大气中的寿命约为50,000年，增温(暖化)系数是6,500(二氧化碳的系数是1)。虽然结构与氟氯烃相似，但四氟化碳不会破坏臭氧层。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉，置于镍盘中，使硅和碳化硅充分接触后，将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中，向反应管内通入氟气，氟气先和单质硅反应。
四氟化碳的溶氧性很好，因此被科学家用于超深度潜水实验代替普通压缩空气。目前已在老鼠身上获得成功，在275米到366米的深度内，小白鼠仍可安全脱险。随着芯片制程向7纳米迈进，细微杂质对芯片的损害更为明显，电子产业对高纯电子气体的纯度要求进一步提高，在此背景下，我国高纯四氟化碳生产技术与产量仍有提升空间。是微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，高纯气高纯氧的混合气，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻，在电子器件表面清洗、太阳能电池生产、激光技术、低温制冷、泄漏检验、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。
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