化学抛光是在不供电情况下产生抛光效果，其抛光原理与利用电流作用的电解抛光在本质上没有太大差别。化学抛光效果一般要比电解抛光效果差，在化学抛光中，由于材料的质量不均匀，会引起局部电位高低不一，产生局部阴阳极区，形成局部短路的微电池，使阳极发生局部溶解。而在电解抛光中由于外加电位的作用可以完全消除这种局部的阴极区，进行的电解，因此效果更好。
CMP技术的概念是1965年由
抛光剂销售
化学抛光是在不供电情况下产生抛光效果，其抛光原理与利用电流作用的电解抛光在本质上没有太大差别。化学抛光效果一般要比电解抛光效果差，在化学抛光中，由于材料的质量不均匀，会引起局部电位高低不一，产生局部阴阳极区，形成局部短路的微电池，使阳极发生局部溶解。而在电解抛光中由于外加电位的作用可以完全消除这种局部的阴极区，进行的电解，因此效果更好。
CMP技术的概念是1965年由Manto提出。该技术是用于获取高质量的玻璃表面，如望远镜等。1988年IBM开始将CMP技术运用于4MDRAM 的制造中，而自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM 的生产中以后，CMP技术在世界各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法，CMP通过化学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。
温度.对化学抛光的效率和表面质量有重要的影响.温度高抛光加速,但产生较多的气体,有可能产生气体缺陷.对于新配制的化学抛光槽液,温度不宜太高；若溶铝量达到平衡时操作温度宜高些.随着溶铝量的增加,要维持一定的抛光效率就要提高槽液的温度,如果槽液温度超过设定的上限温度105℃,仍不能得到满意的光亮度,应根据化验结果调整槽液浓度或相对密度.此外,还要注意保持槽液各处温度的均匀性.
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