半导体器件(IC)研究中的特殊应用在半导体器件(IC)研究中的特殊应用： 1)利用电子束感生电流EBIC进行成像，可以用来进行集成电路中pn结的定位和损伤研究 2)利用样品电流成像，结果可显示电路中金属层的开、短路，因此电阻衬度像经常用来检查金属布线层、多晶连线层、金属到硅的测试图形和薄膜电阻的导电形式。 3)利用二次电子电位反差像，反映了样品表面的电位，从它上面可以
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半导体器件(IC)研究中的特殊应用
在半导体器件(IC)研究中的特殊应用：
1)利用电子束感生电流EBIC进行成像，可以用来进行集成电路中pn结的定位和损伤研究
2)利用样品电流成像，结果可显示电路中金属层的开、短路，因此电阻衬度像经常用来检查金属布线层、多晶连线层、金属到硅的测试图形和薄膜电阻的导电形式。
3)利用二次电子电位反差像，反映了样品表面的电位，从它上面可以看出样品表面各处电位的高低及分布情况，特别是对于器件的隐开路或隐短路部位的确定尤为方便。
4、利用背散射电子衍射信号对样品物质进行晶体结构(原子在晶体中的排列方式)，晶体取向分布分析，基于晶体结构的相鉴定。
从电子中发射出高能电子束撞击样品表面,与原子的内层电子发生
从电子中发射出高能电子束撞击样品表面，与原子的内层电子发生非弹性散射作用时，使原子发生电离，从而使原子失去一个内层电子而变成离子，并在该电子层对应位置产生一个空穴，原子为了恢复到稳定态，较外层的电子就会填补到这个空穴，在填补过程中同时会产生具有特征能量的X射线，探测器接收到这些特征X射线后，经过分析处理转换得到谱图和分析数据输出。
当以背散射电子为调制信号时，由于背散射电子能量比较高，穿透能力强，可从样品中较深的区域逸出(约为有效作用深度的30%左右)。在此深度范围，入射电子已有了相当宽的侧向扩展，所以背散射电子像分辨率要比二次电子像低，一般在500～2000nm左右。
小心地施加灯丝的加热电流
直热式的钨阴极发射通过对灯丝的直接加热，把电子从钨阴极材料中激发出来。若增加灯丝的加热电流，灯丝的温度就会随之上升，发射的束流也会随之加大。当灯丝的发射束流达到其高点时，即使再加大灯丝的加热电流，其发射的束流也很难再有明显增加，而只会增加灯丝的温度，从而加速灯丝的挥发，进而导致灯丝很快烧断。也就是说操作者应该小心地施加灯丝的加热电流，以获得既大又稳定的发射束流，而灯丝的温度又能恰到好处，不至于升得太高而造成过热，这个点就叫作饱和点。
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