光刻工艺的显影方法，包括：旋转步骤：以速度旋转声表面波晶片；次滴注步骤：移动显影液手臂至所述声表面波晶片的边缘处并开始滴注显影液；移动步骤：将显影液手臂从声表面波晶片的边缘移动至声表面波晶片的中心位置；第二次滴注步骤：保持显影液手臂位于所述声表面波晶片的中心位置处持续滴注显影液；静止步骤：保持所述声表面波晶片静止；以及清洗甩干步骤：清洗并甩干所述声表面波晶片。标牌曝光显影工艺
曝光显影光刻胶的
标牌曝光显影工艺
光刻工艺的显影方法，包括：旋转步骤：以速度旋转声表面波晶片；次滴注步骤：移动显影液手臂至所述声表面波晶片的边缘处并开始滴注显影液；移动步骤：将显影液手臂从声表面波晶片的边缘移动至声表面波晶片的中心位置；第二次滴注步骤：保持显影液手臂位于所述声表面波晶片的中心位置处持续滴注显影液；静止步骤：保持所述声表面波晶片静止；以及清洗甩干步骤：清洗并甩干所述声表面波晶片。标牌曝光显影工艺
曝光显影光刻胶的表现要素：
分辨率：resolution capability、纵横比-aspect ratio（光刻胶厚度与图形打开尺寸的比值、正胶一般比负胶有更高的纵横比）；
粘结能力：负胶的粘结能力通常比正胶强一些；
曝光速度、灵敏性和曝光源：反应速度越快，在光刻蚀区域晶圆的加工速度越快；灵敏性是与导致聚合或者光溶解发生所需要的能量总和相关的；波长越短的射线能量越高；
标牌曝光显影工艺
显影液是一种用水稀释的强碱溶液，早期的显影液为或的水溶液，但这两种溶液中都包含有金属，会造成可动离子沾污，对于污染很敏感的集成电路是不能接受的。目前普通的正胶显影液是（TMAH），这种显影液的金属离子浓度很低，从而避免了金属离子的污染。湿法显影。光刻胶早期湿法显影的方式是将一盒晶圆片浸没在显影液中并进行一定幅度的振荡，随着晶圆尺寸的逐渐增大，此方法已经不再适用。标牌曝光显影工艺
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