银芝麻重防腐涂料——山东金芝麻环保
SiC所具有的高导热性、高强度、热膨胀低、与炉渣难以反映等优良特性被作为炉渣反应和高温剥落严重部位耐火材料的主要原料使用。
随着SiC加入量的增加其抗渣性能有一定的提高。SiC在高温下的氧化是SiC质耐火材料损毁室温主要原因，根据热力学计算，SiC在高温下氧化气氛下的不稳定是十分显著的，然后它却可以在1600℃的氧
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银芝麻重防腐涂料——山东金芝麻环保
SiC所具有的高导热性、高强度、热膨胀低、与炉渣难以反映等优良特性被作为炉渣反应和高温剥落严重部位耐火材料的主要原料使用。
随着SiC加入量的增加其抗渣性能有一定的提高。SiC在高温下的氧化是SiC质耐火材料损毁室温主要原因，根据热力学计算，SiC在高温下氧化气氛下的不稳定是十分显著的，然后它却可以在1600℃的氧化气氛下长期使用，着很大程度上是由于形成SiO2保护膜的结果。
第三代半导体材料，主要代表碳化硅和氮化相对于前两代半导体材料而言，在高温、高压、高频的工作环境下有着明显的优势。
碳化硅早在1842年就被发现了，直到1955年才开发出生长碳化硅晶体材料的方法，1987年商业化生产的的碳化硅才进入市场，21世纪后碳化硅的商业应用才算铺开。
与硅相比，碳化硅具有更高的禁带宽度，禁带宽度越宽，临界击穿电压越大，高电压下可以减少所需器件数目。具有高饱和电子飘逸速度，制作的元件开关速度大约是硅的3-10倍，高压条件下能高频操作，所需的驱动功率小，电路能量损耗低。具有高热导率，可减少所需的冷却系统，也更适用于高功率场景下的使用，一般的硅半导体器件只能在100℃以下正常运行，器件虽然能在200℃以上工作，但是效率大大下降，而碳化硅的工作温度可达600℃，具有很强的耐热性。并且混合SIC器件体积更小，工作损耗的降低以及工作温度的上升使得集成度提高，体积减小。
硅化可在普通大气压的碳管炉内进行，硅化温度必须大于2000℃。如果在66.65MPa的真空炉中进行，则硅化温度可降到1500~1600℃。产生硅蒸气所用的硅粉颗粒尺寸为0.991~4.699mm。在大气压力下硅化时，硅粉可装在石墨坩埚里。在真空下硅化时，则应装在氮化硼(BN)坩埚里，因为此时硅会渗入石墨中并作用形成碳化硅而使石墨坩埚，而氮化硼与硅不润湿。硅化所需的时间依据硅化的温度及在该温度下的硅的挥发量的不同而变化。在硅化完成后，坩埚内通常不应该再有硅残留而都蒸发了。由于蒸发而附着在制品表面上的硅可用热的处理除去。自结合碳化硅制品的强度为一般碳化硅制品的7~10倍，且能力提高了。
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