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热压烧结法(HPS)是将Si3N4粉末和少量添加剂(如MgO
热压烧结法(HPS)是将Si3N4粉末状和小量防腐剂(如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3等),在1916MPa之上的气体压强和1600℃之上的温度开展热压成形烧结。烧结时添加剂和物相构成对商品特性有非常大的危害。因为严控位错相的构成,及其在
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热压烧结法(HPS)是将Si3N4粉末和少量添加剂(如MgO
热压烧结法(HPS)是将Si3N4粉末状和小量防腐剂(如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3等),在1916MPa之上的气体压强和1600℃之上的温度开展热压成形烧结。烧结时添加剂和物相构成对商品特性有非常大的危害。因为严控位错相的构成,及其在Si3N4陶瓷烧结后开展适度的热处理工艺,因此能够 得到即便温度达到1300℃时强度(达到490MPa之上)也不会显著降低的Si3N4系陶瓷材料,并且抗应力松弛性可提升三个量级。若对Si3N4陶瓷材料开展1400———1500℃高溫预空气氧化解决,则在陶瓷材料表层上产生Si2N2O相,它能明显提升Si3N4陶瓷的耐还原性和高溫强度。热压烧结法生产制造的Si3N4陶瓷的物理性能比反映烧结的Si3N4要出色,强度高、密度大。但制造成本高、烧结机器设备繁杂,因为烧结体收拢大,使商品的规格精密度遭受一定的限定,无法生产制造繁杂零件,只有生产制造样子简易的零件产品,产品工件的机械加工制造也较艰难。该产品具有强度高、高温性好、热传导率高、热膨胀系数小、热震稳定性好等优点。
气压烧结法(GPS)获得很大的进展
气压烧结法( GPS)
近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究,获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ~10MPa气压下,2000℃左右温度下进行。高的氮气压控制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结,在添加较少烧结助剂情况下,也足以促进Si3N4晶粒生长,而获得密度> 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷. 因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视. 气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的性,可直接制取接近终形状的各种复杂形状制品,从而可大幅度降低生产成本和加工费用. 而且其生产工艺接近于硬质合金生产工艺,适用于大规模生产。气压烧结法(GPS)近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究,获得了很大的进展。
氮化硅的化学式为Si3N4,是一种重要的结构陶瓷材料。氮化硅是一种超硬物质,本身具有润滑性,并且损,为原子晶体;但制造成本高、烧结设备复杂,由于烧结体收缩大,使产品的尺寸精度受到一定的限制,难以制造复杂零件,只能制造形状简单的零件制品,工件的机械加工也较困难。高温时。而且,氮化硅还能抵抗冷热冲击,在空气中加热到1000℃以上,急剧冷却再急剧加热,也不会碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此优异的特性,人们常常利用它来制造轴承、气轮机叶片、机械密封环、性模具等机械构件。如果用耐高温而且不易传热的氮化硅陶瓷来制造发动机部件的受热面,不仅可以提高柴油机质量,节省燃料,而且能够提高热效率。
氮化硅(Si3N4)存在有3种结晶结构,分别是α、β和γ三相。α和β两相是Si3N4非常常出现的型式,且可以在常压下制备。γ相只有在高压及高温下,才能合成得到,它的硬度可达到35GPa。

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