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美式箱变与欧式箱变结构上不一样。从布置上看，其低压室、变压器室、高压室不是目字型布置，而是品字型布置。从结构上看，这种箱式变分为前、后两部分前面为高、低压操作距离，操作距离内包括高低压接线端子，负荷开关操作柄，无载调压分节开关，刺进式熔断器，油位计等；后部为注油箱及散热片，将变压器绕组、铁芯、高压负荷开关和熔断器放入变压
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美式箱变与欧式箱变结构上不一样。从布置上看，其低压室、变压器室、高压室不是目字型布置，而是品字型布置。从结构上看，这种箱式变分为前、后两部分前面为高、低压操作距离，操作距离内包括高低压接线端子，负荷开关操作柄，无载调压分节开关，刺进式熔断器，油位计等；后部为注油箱及散热片，将变压器绕组、铁芯、高压负荷开关和熔断器放入变压器油箱中。
这些低压电器均按GB1497《低压电器根本标准》连续规划和制造，并且对它们的正常工作条件作了相应的规则：四周空气温度的上限不逾越40℃；四周空气温度24h的均匀值不逾越35℃；四周空气温度的下限不能-5℃或-25℃。
1998年，Infineon公司推出冷MOS管，它选用"超级结"（Super-Junction）结构，故又称超结功率MOSFET.作业电压600V~800V,通态电阻简直降低了一个数量级，仍保持开关速度快的特点，是一种有开展前途的高频功率半导体器材。
IGBT刚出现时，电压、电流额定值只要600V、25A.很长一段时间内，耐压水平限于1200V~1700V,通过长期的探究研究和改进，现在IGBT的电压、电流额定值已别离到达3300V/1200A和4500V/1800A,高压IGBT单片耐压已到达6500V,一般IGBT的作业频率上限为20kHz~40kHz,基于穿通（PT）型结构使用新技能制作的IGBT,可作业于150kHz（硬开关）和300kHz（软开关）。
2、对于较小的配电箱，也可在安装处预埋好木砖(按配电箱 或配电板四角安装孔的位置埋设)，然后用木螺钉在木砖处固定配电箱或配电板。暗装配电箱，配电箱嵌入墙内安装，在砌墙时预留孔洞应比配电箱的长和宽各大20mm 左右，预留的深度为配电箱厚度加上洞内壁抹灰的厚度。在圬埋配电箱时，箱体 与墙之间填以混凝土即可把箱体固定住
3、配电箱应安装牢固，横平竖直，垂直偏差不应大于3mm;暗装时，配电 箱四周应无空隙，其面板四周边缘应紧贴墙面，箱体与建筑物、构筑物接触部分 应涂防腐漆。
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