一种光刻工艺的显影方法，包括：提供半导体晶片，在所述半导体晶片上具有光敏材料层；向所述光敏材料层喷洒显影液，使显影液布满整个光敏材料层表面；保持所述半导体晶片静止T时间或间歇性旋转所述半导体晶片，显影液与光敏材料层中的可溶解区域反应，使所述可溶解区域的光敏材料溶解；向所述光敏材料层喷洒去离子水，并旋转所述半导体晶片，使溶解有光敏材料的显影液和多余的显影液被甩出半导体晶片边缘之外；其中，在开始向所述
曝光显影厂商
一种光刻工艺的显影方法，包括：提供半导体晶片，在所述半导体晶片上具有光敏材料层；向所述光敏材料层喷洒显影液，使显影液布满整个光敏材料层表面；保持所述半导体晶片静止T时间或间歇性旋转所述半导体晶片，显影液与光敏材料层中的可溶解区域反应，使所述可溶解区域的光敏材料溶解；向所述光敏材料层喷洒去离子水，并旋转所述半导体晶片，使溶解有光敏材料的显影液和多余的显影液被甩出半导体晶片边缘之外；其中，在开始向所述光敏材料层喷洒去离子水时以及之后的60s内，所述半导体晶片的旋转速率小于或等于100rpm。本发明能够减少或消除半导体晶片表面的光刻胶残留的缺陷。曝光显影厂商
一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。光刻工艺是半导体制造中为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。曝光显影厂商
曝光显影工艺是3D镜片产品装饰选用的一种后制程装饰方案。在玻璃、有机玻璃、蓝宝石与注塑件等3D产品(如前盖、嵌件、装饰件等)加工工艺过程中，都会涉及到曝光显影工艺，此方法可适用于多种多厚度多曲面要求的3D产品装饰。产生影像的过程称为显影。显影是在印刷、影印、复印、晒图等行业中，让影像显现的一个过程。曝光显影工艺流程中抛光工序风轮加青蜡会出现镜面抛不透，发白现象。曝光显影厂商
随着市场对3D镜片产品的需求，曝光显影工艺的要求越来越高。现有曝光显影工艺的方案为一涂一曝一显，具体的，曝光显影工艺依次为：清洗1→涂布1→预烤1→曝光1→显影1→固烤1→清洗2→涂布2→预烤2→曝光2→显影2→固烤2在于避免现有技术中的不足之处而提供一种曝光显影的方法，该曝光显影的方法可以解决镜面抛光不透发白等问题。曝光显影厂商
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