显影是在曝光后的重要步骤，利用曝光区域在化学性质上与未暴光的区域不同，在特定的化学溶液中选择性的保留曝光区域（负胶）或者未曝光区域（正胶）的过程。从而获得终所需的光刻胶结构。显影液的开放容器也会从周围空气中吸收二氧化碳，而且其吸收与容器的表面和体积比相关：如果使用烧杯，应该至少每天更换里面的显影液，而较大的容器可以维持数天或数周更换显影液。外壳曝光显影厂商
曝光了光刻胶中的光敏成分，对于正性光刻胶
外壳曝光显影厂商
显影是在曝光后的重要步骤，利用曝光区域在化学性质上与未暴光的区域不同，在特定的化学溶液中选择性的保留曝光区域（负胶）或者未曝光区域（正胶）的过程。从而获得终所需的光刻胶结构。显影液的开放容器也会从周围空气中吸收二氧化碳，而且其吸收与容器的表面和体积比相关：如果使用烧杯，应该至少每天更换里面的显影液，而较大的容器可以维持数天或数周更换显影液。外壳曝光显影厂商
曝光了光刻胶中的光敏成分，对于正性光刻胶而言，被曝光的光刻胶区域发生了光化学反应，从而可溶于显影液中；对所述半导体晶片上的光刻胶层进行曝光后烘烤， 通过曝光后烘烤，消除曝光时的驻波效应，改善形成的光刻胶图案的侧壁轮廓；对所述光刻胶层进行显影，光刻胶层被曝光的区域与显影液发生化学反应而溶解，然后用去离子水进行冲洗将溶解的光刻胶去除；外壳曝光显影厂商
显影液是一种用水稀释的强碱溶液，早期的显影液为或的水溶液，但这两种溶液中都包含有金属，会造成可动离子沾污，对于污染很敏感的集成电路是不能接受的。目前普通的正胶显影液是（TMAH），这种显影液的金属离子浓度很低，从而避免了金属离子的污染。湿法显影。光刻胶早期湿法显影的方式是将一盒晶圆片浸没在显影液中并进行一定幅度的振荡，随着晶圆尺寸的逐渐增大，此方法已经不再适用。外壳曝光显影厂商
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