负性光刻胶原理
又称光致抗蚀剂,是一种由感光树脂、增感剂(见光谱增料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
原理
光刻胶在接受一定波长的光或者射线时,会相应的发生一种光化学反应或者激励作用。光化学反应中的光吸收是在化学键合中起作用的处于原子外层的电子由基态转入激励态时引起的。对于有机物,基态与激励态的能量差为3~6eV,相当于该能量差的光(即波长为0.
NR9 3000P光刻胶报价
负性光刻胶原理
又称光致抗蚀剂,是一种由感光树脂、增感剂(见光谱增料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
原理
光刻胶在接受一定波长的光或者射线时,会相应的发生一种光化学反应或者激励作用。光化学反应中的光吸收是在化学键合中起作用的处于原子外层的电子由基态转入激励态时引起的。对于有机物,基态与激励态的能量差为3~6eV,相当于该能量差的光(即波长为0.2~0.4μm的光)被有机物强烈吸收,使在化学键合中起作用的电子转入激励态。化学键合在受到这种激励时,或者分离或者改变键合对象,发生化学变化。电子束、X射线及离子束(即被加速的粒子)注入物质后,因与物质具有的电子相互作用,能量逐渐消失。电子束失去的能量转移到物质的电子中,因此生成激励状态的电子或二次电子或离子。这些电子或离子均可诱发光刻胶的化学反应。
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光刻胶概况
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光刻胶又称光致抗蚀剂,是光刻工艺的关键化学品,主要利用光化学反应将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上,被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作,下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工,同时在 LED、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用,是微细加工技术的关键性材料。光刻胶的主要成分为树脂、单体、光引发剂及添加助剂四类。其中,树脂约占 50%,单体约占35%,光引发剂及添加助剂约占15%。
光刻胶市场空间
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光刻胶市场空间与半导体的分不开。2012-2018年半导体市场规模复合增速8.23%,在半导体行业的发展下,半导体光刻胶市场持续增长。
而,因半导体、液晶面板以及消费电子等产业向国内转移,对光刻胶需求量迅速增量。
但是远远不够,从光刻胶的市场竞争格局来看,光刻胶市场主要由日韩企业主导,国内企业市场份额集中在低端的PCB光刻胶上,高技术壁垒的LCD 和半导体光刻胶主要依赖进口。根据某些数据显示,国内光刻胶产值当中,PCB光刻胶的占比高达95%,半导体光刻胶和LCD光刻胶产值占比都仅有2%。
由上分析可知,我国目前在光刻胶领域急需技术突破的。
选择光刻胶需要注意什么
光刻加工工艺中为了图形转移,辐照必须作用在光刻胶上,通过改变光刻胶材料的性质,使得在完成光刻工艺后,光刻版图形被拷贝在圆片的表面。而加工前,如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是较好的,但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑,需要对光刻胶进行合理的选择。
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