肖特基二极管封装「在线咨询」

MBR10200CT肖特基二极管，台湾ASEMI 编辑：L MBR10200CT 肖特基二极管，台湾ASEMI，其电性参数为10A，200V，封装为：TO-220封装，芯片采用的是2个86MIL的俄罗斯进口Mikron芯片，印字采用的是镭射激光打标，不易退色。 ASEM仍然坚持自己的原则，坚持执行优方针，努力做到“产品精益求精”，满
肖特基二极管封装


MBR10200CT肖特基二极管，台湾ASEMI

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MBR10200CT 肖特基二极管，台湾ASEMI，其电性参数为10A，200V，封装为：TO-220封装，芯片采用的是2个86MIL的俄罗斯进口Mikron芯片，印字采用的是镭射激光打标，不易退色。









ASEM仍然坚持自己的原则，坚持执行优方针，努力做到“产品精益求精”，满足客户并超越客户的需求，与客户携手同行，走向成功之路。



MBR30200PT肖特基二极管台湾ASEMI


MBR30200PT肖特基二极管台湾ASEMI，正向电流：30A，反向耐压：200V，正向压降：0.92V，反向电流：0.5uA，反向恢复时间：＜5ns，封装：TO-247/3P。










强元芯从技术和生产原料两方面入收，严把质量关，通过改良持术，提高用户产品体验，更通过保证入库物料产量，无一不是为提高产量努力。自2008年起，ASEMI整流桥产品创造了无不良率的，受到客户一致认同。






ASEMI低压降肖特基二极管SB10100LCT


ASEMISB10100LCT是一款拥有超低正向压降的肖特基二极管，其电性参数为10A 100V，封装为TO-220AB封装。一款低压降的肖特基二极管，普通的肖特基二极管压降在0.8V左右，已经比普通的二极管1.1V的电压降低了很多，而SB10100LCT的压降更是降低到0.56V，比普能的二极管消耗低了近40%，大大降低了电路中不必要的损耗。
















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