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CT检测发展

一代CT使用单源(一条射线)单探测器系统，系统相对于被检物作平行步进式移动扫描以获得N个投影值(1值),被检物则按M个分度作旋转运动，被检物仅需转动180%。代CT机结构简单、成本低、图像清晰,但检测效率低，在工业CT中已经很少采用。

二代CT是在第代CT基础上发展起来的。使用单源小角度扇形射线束多探头，射线扇束角小、探测器数目少，因此扇束不能全包容被检断层,其扫描运动除被检物作M几个分度旋转外，射线扇束与探测列架还要一起相对于被检物作平移运动。在至全都覆盖被检物，得到所需的成像数据。

CT检测射线源种类

射线源常用X射线机统称电子辐射发生器。X射线机的峰值射线能量和强度都是可调的，实际应用的峰值射线能量范围从几KeV到450KeV；峰值射线能量一般不可调，实际应用的峰值射线能量范围从1～16MeV，更高的能量虽可以达到，主要仅用于实验。电子辐射发生器的共同优点是切断电源以后就不再产生射线，这种内在的安全性对于工业现场使用是非常有益的。电子辐射发生器的焦点尺寸为几微米到几毫米。

CT检测面探测器

面探测器主要有三种类型：高分辨半导体芯片、平板探测器和图像增强器。半导体芯片又分为CCD和CMOS。CCD对X射线不敏感，表面还要覆盖一层闪烁体将X射线转换成CCD敏感的可见光。

半导体芯片具有小的像素尺寸和大的探测单元数，像素尺寸可小到10微米左右，探测单元数量取决于硅单晶的大尺寸，一般直径在50mm以上。因为探测单元很小，信号幅度也很小，为了增大测量信号可以将若干探测单元合并。