微弧氧化膜层生长时，首先在基体表面发生化学反应，生成一层阳极氧化膜。当增大反应电压时，膜层厚度会进一步增加，厚度会随之增加。但是当反应电压增加到一定程度时，膜层会由于不能承受该工作电压发生放电再击穿，产生等离子放电。反应的高温将使膜层发生熔融，基体元素由于处在富氧环境中，将形成氧化物。同时由于是在电解液中，熔融物将瞬间冷凝，在基体表面生成一层陶瓷。陶瓷膜的生成，将导致工作电压进
微弧氧化技术设备
微弧氧化膜层生长时，首先在基体表面发生化学反应，生成一层阳极氧化膜。当增大反应电压时，膜层厚度会进一步增加，厚度会随之增加。但是当反应电压增加到一定程度时，膜层会由于不能承受该工作电压发生放电再击穿，产生等离子放电。反应的高温将使膜层发生熔融，基体元素由于处在富氧环境中，将形成氧化物。同时由于是在电解液中，熔融物将瞬间冷凝，在基体表面生成一层陶瓷。陶瓷膜的生成，将导致工作电压进一步升高，膜层再次被击穿，膜层厚度进一步增加。周而复始，膜层得以生长。
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用正交试验法，对影响7075铝合金微弧氧化膜层致密性的电参数进行优化。以膜层厚度和孔隙率作为指标，以正向电压、电流密度、正占空比和脉冲频率作为因素设计,并开展了四因素三水平的正交试验。使用扫描电镜对正交试验后微弧氧化陶瓷膜层的表面形貌进行了观察；利用Image J软件对陶瓷膜层的膜层厚度及孔隙率进行测量。
结果表明：影响微弧氧化陶瓷膜层厚度的电参数顺序从大到小依次为：正向电压〉电流密度〉正占空比〉脉冲频率；
影响微弧氧化膜层孔隙率的电参数顺序从大到小依次为：正向电压〉电流密度〉正占空比〉脉冲频率；
采用综合平衡法确定的电参数的优化结果为：正向电压550V、电流密度8 A/dm^2、正占空比20%、频率400Hz。
微弧氧化工艺
微弧氧化工艺技术是直接在有色金属表面原位生成陶瓷层的新技术。微弧氧化工艺技术工艺简单，对环境污染小，具备很大的优越性，它制备的膜层特点鲜明，膜层与基体金属属于冶金结合，结合牢固，在制备涂层方面具有明显优势，微弧氧化技术已被广泛应用于Al、Ti 和Mg等金属行业，是一种很有前景的表面处理工艺。
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