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存储器

EEPROM与闪存

从软件角度看，独立的EEPROM和闪存器件是类似的，两者主要差别是EEPROM器件可以逐字节地修改，而闪存器件只支持扇区擦除以及对被擦除单元的字、页或扇区进行编程。对闪存的重新编程还需要使用SRAM，因此它要求更长的时间内有更多的器件在工作，从而需要消耗更多的电池能量。设计工程师也必须确认在修改数据时有足够容量的SRAM可用。

存储器密度是决定选择串行EEPROM或者闪存的另一个因素。市场上可用的独立串行EEPROM器件的容量在128KB或以下，独立闪存器件的容量在32KB或以上。

如果把多个器件级联在一起，可以用串行EEPROM实现高于128KB的容量。很高的擦除/写入耐久性要求促使设计工程师选择EEPROM，因为典型的串行EEPROM可擦除/写入100万次。闪存一般可擦除/写入1万次，只有少数几种器件能达到10万次。

今天，大多数闪存器件的电压范围为2.7V到3.6V。如果不要求字节寻址能力或很高的擦除/写入耐久性，在这个电压范围内的应用系统采用闪存，可以使成本相对较低。

存储器的分类

存储器是计算机用来存储信息的部件。按存取速度和用途可把存储器分为两大类：

内存和外存。

内存：把通过系统总线直接与CPU相连、具有一定容量、存取速度快的存储器称为内存储器，简称内存。目前内存一般都使用半导体存储器。

外存：把通过接口电路与系统相连、存储容量大而速度较慢的存储器称为外存储器，简称外存。外存常使用磁介质或光介质存储器，如硬盘、软盘和光盘等。