曝光显影光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面层上所规定的特定区域的基本操作
分辨率-resolution 特征图形尺寸-feature size 图像尺寸-image size 定位图形-Alignment or Registration 聚合-polymerization 抗刻蚀的-etch resistant or Resist or Photoresist 亮场掩膜版-clear fie
曝光显影加工
曝光显影光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面层上所规定的特定区域的基本操作
分辨率-resolution 特征图形尺寸-feature size 图像尺寸-image size 定位图形-Alignment or Registration 聚合-polymerization 抗刻蚀的-etch resistant or Resist or Photoresist 亮场掩膜版-clear field mask 光溶解-photosolubilization；
负胶+亮场或正胶+暗场形成空穴； 负胶+暗场或正胶+亮场形成凸起曝光显影加工
光刻工艺的显影方法， 光刻工艺的显影方法，包括：提供半导体晶片，在所述半导体晶片上具有光敏材料层；向所述光敏材料层喷洒显影液，使显影液布满整个光敏材料层表面；其特征在于，进一步包括：停止喷洒去离子水，并继续旋转所述半导体晶片；停止旋转所述半导体晶片。光刻工艺的显影方法，其特征在于：在向 所述光敏材料层喷洒去离子水之前，以小于100rpm的速率旋转所 述半导体晶片，甩掉部分或全部溶解有光敏材料的显影液和多余的显影 液曝光显影加工
显影参数
在显影过程中有一些关键参数是必须被关注的，这些参数包括显影温度、显影时间、显影液量、当量浓度、排风及清洗等。
显影液量。晶圆片上显影液的量会影响到显影的质量。如显影液不足，可能会导致显影不尽；显影液过量，虽不会造成显影异常，但会造成浪费，因此，对于大规模生产来说，确定一个合适的显影量也是相当重要的。当量浓度。当量浓度是一个浓度单位，表示一升溶液中溶质的含量。对于显影液来说，当量浓度反映显影中其主导作用的OH-离子的浓度。曝光显影加工
一种曝光显影工艺，其具体工艺流程为：清洗-涂布-预烤-涂布-预烤-显影-固烤；相比于现有工艺流程，其减少了一次曝光、一次显影、一次固烤与一次清洗上述四个步骤，则减少了工艺流程，提高了生产效率，且提高了制程良率。产生影像的过程称为显影。显影是在印刷、影印、复印、晒图等行业中，让影像显现的一个过程。曝光显影工艺流程中抛光工序风轮加青蜡会出现镜面抛不透，发白现象。曝光显影加工
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