NR9-3000PYNR73G 6000P光刻胶公司
三、光刻胶涂覆（Photoresist Coating）
光刻胶涂覆通常的步骤是在涂光刻胶之前，先在900-1100度湿氧化。氧化层可以作为湿法刻蚀或B注入的膜版。作为光刻工艺自身的首先过程，一薄层的对紫外光敏感的有机高分子化合物，即通常所说的光刻胶，要涂在样品表面(SiO2)。光刻胶市场据统计资料显示，2017年光
NR73G 6000P光刻胶公司
NR9-3000PYNR73G 6000P光刻胶公司
三、光刻胶涂覆（Photoresist Coating）
光刻胶涂覆通常的步骤是在涂光刻胶之前，先在900-1100度湿氧化。氧化层可以作为湿法刻蚀或B注入的膜版。作为光刻工艺自身的首先过程，一薄层的对紫外光敏感的有机高分子化合物，即通常所说的光刻胶，要涂在样品表面(SiO2)。光刻胶市场据统计资料显示，2017年光刻胶行业产量达到7。首先光刻胶被从容器中取出滴布到置于涂胶机中的样品表面，(由真空负压将样品固定在样品台上)，样品然后高速旋转，转速由胶粘度和希望胶厚度确定。在这样的高速下，胶在离心力的作用下向边缘流动。
涂胶工序是图形转换工艺中初的也是重要的步骤。涂胶的质量直接影响到所加工器件的缺陷密度。为了保证线宽的重复性和接下去的显影时间，同一个样品的胶厚均匀性和不同样品间的胶厚一致性不应超过±5nm(对于1.5um胶厚为±0.3%)。
光刻胶的目标厚度的确定主要考虑胶自身的化学特性以及所要图形中线条的及间隙的微细程度。太厚胶会导致边缘覆盖或连通、小丘或田亘状胶貌、使成品率下降。在MEMS中、胶厚(烤后)在0.5-2um之间，而对于特殊微结构制造，胶厚度有时希望1cm量级。据悉，经过项目组全体成员的努力攻关，完成了EUV光刻胶关键材料的设计、制备和合成工艺研究、配方组成和光刻胶制备、实验室光刻胶性能的初步评价装备的研发，达到了任务书中规定的材料和装备的考核指标。在后者，旋转涂胶将被铸胶或等离子体胶聚合等方法取代。常规光刻胶涂布工序的优化需要考虑滴胶速度、滴胶量、转速、环境温度和湿度等，这些因素的稳定性很重要。
在工艺发展的早期，负胶一直在光刻工艺中占主导地位，随着VLSI IC和2～5微米图形尺寸的出现，负胶已不能满足要求。随后出现了正胶，但正胶的缺点是粘结能力差。
用正胶需要改变掩膜版的极性，这并不是简单的图形翻转。因为用掩膜版和两种不同光刻胶结合，在晶园表面光刻得到的尺寸是不一样的，由于光在图形周围的衍射效应，使得用负胶和亮场掩膜版组合在光刻胶层上得到的图形尺寸要比掩膜版上的图形尺寸小。广泛使用:(HMDS)、在PR旋转涂覆前HMDS蒸气涂覆、PR涂覆前用冷却板冷却圆片。用正胶和暗场掩膜版组合会使光刻胶层上的图形尺寸变大。
NR9-3000PY
四、对准（Alignment）
光刻对准技术是曝光前的一个重要步骤作为光刻的三大核心技术之一，一般要求对准精度为细线宽尺寸的 1/7---1/10。随着光刻分辨力的提高 ，对准精度要求也越来越高 ，例如针对 45am线宽尺寸 ，对准精度要求在5am 左右。
受光刻分辨力提高的推动 ，对准技术也经历 迅速而多样的发展 。从对准原理上及标记结 构分类 ，对准技术从早期的投影光刻中的几何成像对准方式 ，包括视频图像对准、双目显微镜对准等，一直到后来的波带片对准方式 、干涉强度对准 、激光外差干涉以及莫尔条纹对准方式 。因为用掩膜版和两种不同光刻胶结合，在晶园表面光刻得到的尺寸是不一样的，由于光在图形周围的衍射效应，使得用负胶和亮场掩膜版组合在光刻胶层上得到的图形尺寸要比掩膜版上的图形尺寸小。从对准信号上分 ，主要包括标记的显微图像对准 、基于光强信息的对准和基于相位信息对准。
NR77-25000P,RD8
产地
型号
厚度
曝光
应用
加工
特性
Futurrex
美国
NR71-1000PY
0.7μm~2.1μm
高温耐受
用于i线曝光的负胶
LEDOLED、
显示器、
MEMS、
封装、
生物芯片等
金属和介电
质上图案化，
不必使用RIE
加工器件的永
组成
（OLED显示
器上的间隔
区）凸点、
互连、空中
连接微通道
显影时形成光刻胶倒
梯形结构
厚度范围：
0.5～20.0 μm
i、g和h线曝光波长
对生产效率的影响：
金属和介电质图案化
时省去干法刻蚀加工
不需要双层胶技术
NR71-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR71-3000PY
2.8μm～6.3μm
NR71-6000PY
5.7μm~12.2μm
NR9-100PY
粘度增强
NR9-1500PY
2.8μm~6.3μm
NR9-6000PY
NR71G-1000PY
负胶对 g、h线波长的灵敏度
NR71G-1500PY
NR71G-3000PY
NR71G-6000PY
NR9G-100PY
0.7μm～2.1μm
NR9G-1500PY
1.3μm～3.1μm
NR9G-3000PY
NR9G-6000PY
耐热温度
PR1-500A
0.4μm～0.9μm
（作者： 来源：）
