常用的碳化硅磨料有两种不同的晶体，一种是绿碳化硅，含SiC97%以上，主要用于磨硬质含金工具。另一种是黑碳化硅，有金属光泽，含SiC95%以上，强度比绿碳化硅大，但硬度较低，主要用于磨铸铁和非金属材料。分子式为SiC，其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉，可作为磨料和其他某些工业材料使用。
纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅
黑碳化硅微粉
常用的碳化硅磨料有两种不同的晶体，一种是绿碳化硅，含SiC97%以上，主要用于磨硬质含金工具。另一种是黑碳化硅，有金属光泽，含SiC95%以上，强度比绿碳化硅大，但硬度较低，主要用于磨铸铁和非金属材料。分子式为SiC，其硬度介于刚玉和金刚石之间，机械强度高于刚玉，可作为磨料和其他某些工业材料使用。
纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的α-SiC和立方体的β-SiC(称立方碳化硅)α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。β-SiC于2100℃以上时转变为α-SiC。
在半导体领域的应用：碳化硅一维纳米材料由于自身的微观形貌和晶体结构使其具备更多的优异性能和更加广泛的应用前景，被普遍认为有望成为第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。第三代半导体材料即宽禁带半导体材料，又称高温半导体材料，主要包括碳化硅、氮化、氮化铝、氧化锌、金刚石等。
这类材料具有宽的禁带宽度、高的热导率、高的击穿电场、高的抗辐射能力、高的电子饱和速率等特点，适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作。第三代半导体材料凭借着其优异的特性，未来应用前景十分广阔。碳化硅可用于单晶硅、多晶硅、钾、石英晶体等、太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。
高温下的碳化硅材料合成材料有包括碳化硅电极、碳化硅模具和碳化硅制品三种，这三种材料中的碳化硅在高温下，碳化硅很容易发生氧化燃烧反应，造成材料表面胶碳层气孔率增加和结构疏松，影响使用寿命。碳化硅电极因高温电弧会发生部分升华氧化，会造成碳化硅制品的不断消耗，甚至发生断裂、破损。而碳化硅制品损耗率会达到40—60%。
碳化硅制品经过涂料浸渍涂刷处理后，其高温ZS-1011碳化硅过度涂料液能渗入到碳化硅制品的气孔中，排空碳化硅制品里残留的空气，在碳化硅制品气孔及碳化硅制品表面形成一层保护膜。正是这层保护膜能有效的隔绝空气直接与碳化硅制品接触而发生氧化反应，不会在高温巨变中开裂，脱落，从而能有效的延缓碳化硅制品的氧化，延长碳化硅制品的使用寿命。
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