曝光显影光刻十步法：表面准备—涂光刻胶—软烘焙—对准和曝光—显影—硬烘焙—显影目测—刻蚀负胶：聚合物曝光后会由非聚合态变为聚合状态，形成一种互相粘结的物质，是抗刻蚀的，大多数负胶里面的聚合物是聚异戊二烯类型的，早期是基于橡胶型的聚合物；
正胶：其基本聚合物是-甲醛聚合物，也称为-甲醛Novolak树脂，聚合物是相对不可溶的，在用适当的光能量曝光后，光刻胶转变成可溶状态亮面曝光显影定制
亮面曝光显影定制
曝光显影光刻十步法：表面准备—涂光刻胶—软烘焙—对准和曝光—显影—硬烘焙—显影目测—刻蚀负胶：聚合物曝光后会由非聚合态变为聚合状态，形成一种互相粘结的物质，是抗刻蚀的，大多数负胶里面的聚合物是聚异戊二烯类型的，早期是基于橡胶型的聚合物；
正胶：其基本聚合物是-甲醛聚合物，也称为-甲醛Novolak树脂，聚合物是相对不可溶的，在用适当的光能量曝光后，光刻胶转变成可溶状态亮面曝光显影定制
一种光刻工艺的显影方法，其特征在于，包括：提供半导体晶片，在所述半导体晶片上具有光敏材料层；向所述光敏材料层喷洒显影液，使显影液布满整个光敏材料层表面；光刻工艺的显影方法，其特征在于，包括： 提供半导体晶片，在所述半导体晶片上具有光每文材料层； 向所述光敏材料层喷洒显影液，使显影液布满整个光敏材料层表 面；亮面曝光显影定制
光刻工艺的显影方法， 光刻工艺的显影方法，包括：提供半导体晶片，在所述半导体晶片上具有光敏材料层；向所述光敏材料层喷洒显影液，使显影液布满整个光敏材料层表面；其特征在于，进一步包括：停止喷洒去离子水，并继续旋转所述半导体晶片；停止旋转所述半导体晶片。光刻工艺的显影方法，其特征在于：在向 所述光敏材料层喷洒去离子水之前，以小于100rpm的速率旋转所 述半导体晶片，甩掉部分或全部溶解有光敏材料的显影液和多余的显影 液亮面曝光显影定制
在商业印刷中，任何印刷品上都是有logo的。那么logo在印刷的时候有哪些方式呢曝光显影logo印刷方式及过程
第四种：移印。移印指的是热转移印刷。礼品logo的转移印花主要应用在聚酯纤维品上，但随着转移印刷术的提高。同样可以用于尼龙，腈，棉麻等。移印又分为湿印法、干印法、蒸汽印法等多种形式。移印的特点是logo图案逼真、层次清晰、立体感较强。主要用于礼品的图案印制。
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