碳化硅厂家生产的碳化硅为什么是第三代半导体重要的材料呢？
一、碳化硅器件的优势特性
碳化硅（SiC）是目前发展成熟的宽禁带半导体材料，对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。
二、与普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：
硅化碳厂家
碳化硅厂家生产的碳化硅为什么是第三代半导体重要的材料呢？
一、碳化硅器件的优势特性
碳化硅（SiC）是目前发展成熟的宽禁带半导体材料，对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。
二、与普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：
1、高压特性
碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍，碳化硅肖特基管耐压可达2400V。碳化硅场效应管耐压可达数万伏，且通态电阻并不很大。
2、高频特性
3、高温特性
碳化硅是以石英、石油焦炭为主料，水粉、为辅料按一定比例混匀后装入电阻炉内，通过高温冶炼而制成的人造磨料。
化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、性能好、高热导性、高崩溃电场强度及高大电流密度。
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上硬的金刚石(10级)，具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能化。
碳化硅至少有70种结晶型态。其3.2g/cm3的比重及较高的升华温度(约2700°C)，在任何已能达到的压力下，它都不会熔化，且具有相当低的化学活性。
随着节能减排、新能源并网、智能电网的发展，这些领域对功率半导体器件的性能指标和可靠性的要求日益提高，要求器件有更高的工作电压、更大的电流承载能力、更高的工作频率、更高的效率、更高的工作温度、更强的散热能力和更高的可靠性。经过半个多世纪的发展，基于硅材料的功率半导体器件的性能已经接近其物理极限。因此，以碳化硅（SiC）、氮化（GaN）等为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视。和国际大型企业纷纷投入到碳化硅和氮化的研发和产业化中，产业链覆盖材料、器件、模块和应用等各个环节。
因为碳化硅的广泛用途，奠定了碳化硅的发展基础，尤其是不同规格的碳化硅，因此可以被加工生产成不同系列的产品，因此得到广泛的认可。特别是碳化硅在耐火材料行业中的应用也不容忽视。
碳化硅的优点有：强度高，导热系数大、抗震性好、化、损、抗侵蚀等优良的高温性能，是一种耐火材料。
起初的碳化硅耐火材料以粘土、ＳｉＯ２、硅酸盐、莫来石等为结合剂，随着高科技手段的应用，新型碳化硅制品得到广泛开发。如：氮化硅结合碳化硅、氮氧化硅结合碳化硅、反应烧结碳化硅、重结晶碳化硅、渗硅法碳碳化硅等碳化硅材料。它们的高温性能更加优良，从而使碳化硅耐火材料不断进入新的应用领域。
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