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温岭肖特基二极管作用即时留言「强元芯电子」

MBR10200CT肖特基二极管,台湾ASEMI 编辑:L MBR10200CT 肖特基二极管,台湾ASEMI,其电性参数为10A,200V,封装为:TO-220封装,芯片采用的是2个86MIL的俄罗斯进口Mikron芯片,印字采用的是镭射激光打标,不易退色。 ASEM仍然坚持自己的原则,坚持执行优方针,努力做到“产品精益求精”,满
肖特基二极管作用









MBR10200CT肖特基二极管,台湾ASEMI

编辑:L


MBR10200CT 肖特基二极管,台湾ASEMI,其电性参数为10A,200V,封装为:TO-220封装,芯片采用的是2个86MIL的俄罗斯进口Mikron芯片,印字采用的是镭射激光打标,不易退色。









ASEM仍然坚持自己的原则,坚持执行优方针,努力做到“产品精益求精”,满足客户并超越客户的需求,与客户携手同行,走向成功之路。



MBR30100FCT肖特基二极管台湾ASEMI

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MBR30100FCT肖特基二极管台湾ASEMI采用的是俄罗斯进口Mikron芯片,电性参数为30A100V,内含芯片个数有2个,芯片尺寸达122MIL,工作温度为-40~170℃。有3条引脚,两边脚输入,中间脚输出。










强元芯电子肖特基二极管MBR30100FCT台产原装“ASEMI”,广泛用于开关电源做整流二极管,逆变电路做续流、反压吸收二极管,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。其采用俄罗斯进口晶圆-Mikron芯片,具有高抗冲击能力,电性能稳定,可信赖度佳,产品都是已通过、均符合欧盟ROHS认证产品,UL认证。






ASEMI低压降肖特基二极管SB10100LCT


ASEMISB10100LCT是一款拥有超低正向压降的肖特基二极管,其电性参数为10A 100V,封装为TO-220AB封装。一款低压降的肖特基二极管,普通的肖特基二极管压降在0.8V左右,已经比普通的二极管1.1V的电压降低了很多,而SB10100LCT的压降更是降低到0.56V,比普能的二极管消耗低了近40%,大大降低了电路中不必要的损耗。
















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