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在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压(即金属加正电压，半导体加负电压)时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，SBD与PN结二极管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。
肖特基二极管的作用
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在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压(即金属加正电压，半导体加负电压)时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，SBD与PN结二极管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。
采用这种结构的SBD，击穿电压由PN结承受。通过调控N-区电阻率、外延层厚度和P+区的扩散深度，使反偏时的击穿电压突破了100V这个长期不可逾越的障碍，达到150V和200V。在正向偏置时，高压SBD的PN结的导通门限电压为0.6V，而肖特基势垒的结电压仅约0.3V，故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给。
关于 ASEMI肖特基二极管 的封装
通过型号识别封装外形：
MBR10100:TO-220AC,单芯片，两引脚，
MBR10100CT:TO-220AB,双芯片，三引脚，型号后缀带CT
MBRB10100CT:TO-263（D2PAK）、贴片。
型号前面四个字母B,代表TO-263,国际通用命名。双芯片，三引脚，型号后缀带CT
MBRD1045CT:TO-252（DPAK）、贴片。
MBRD与MBRB都是贴片，D:TO-252,B:TO-263.
MBR3045PT:TO-3P,型号后缀"PT"代表TO-3P封装，
原MOTOROLA现叫做SOT-93
SD1045:D表示TO-251
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