光刻胶：用化学反应进行图像转移的媒介
光刻胶具有光化学敏感性，其经过曝光、显影、刻蚀等工艺，可以将设计好的微细图形从掩膜版转移到待加工基片。
光刻胶和集成电路制造产业链的前端的即为光刻胶化学品，生产而得的不同类型的光刻胶被应用于消费电子、家用电器、信息通讯、汽车电子、航空航天等在内的各个下游终端领域，需求较为分散。
光刻胶基于应用领域不同一般可以分为半导体
NR9 3000P光刻胶报价
光刻胶：用化学反应进行图像转移的媒介
光刻胶具有光化学敏感性，其经过曝光、显影、刻蚀等工艺，可以将设计好的微细图形从掩膜版转移到待加工基片。
光刻胶和集成电路制造产业链的前端的即为光刻胶化学品，生产而得的不同类型的光刻胶被应用于消费电子、家用电器、信息通讯、汽车电子、航空航天等在内的各个下游终端领域，需求较为分散。
光刻胶基于应用领域不同一般可以分为半导体集成电路（IC）光刻胶、 PCB光刻胶以及LCD光刻胶三个大类。其中， PCB光刻胶占市场24.5%，半导体IC光刻胶占市场24.1%，LCD光刻胶占市场26.6%。
PR1-1000A1
NR9-3000PY 负性光刻胶
负胶 NR9-3000PY 被设计用于i 线（365 nm）曝光，可使用如步进光刻、扫描投影式光刻、接近式光刻
和接触式光刻等工具。
显影之后，NR9-3000PY 展现出一种倒梯形侧壁，这可以方便地作单纯的LIFT-OFF 处理。
NR9-3000PY 相对于其他光刻胶具有如下优势：
- 优异的分辨率性能
- 地显影
- 可以通过调节曝光能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度
- 耐受温度100℃
- 室温储存保质期长达3 年
Lift-Off工藝
應用領域：LEDs，OLEDs，displays，MEMS，packaging，biochips。
濕法蝕刻，鍍 干法蝕刻（RIE/Ion Milling/Ion implantation）
附着力好Temperature resistance = 100°C 耐高溫Temperature resistance = 180°C
Resist Thickness NR9-3000PY 负性光刻胶
负胶 NR9-3000PY 被设计用于i 线（365
nm）曝光，可使用如步进光刻、扫描投影式光刻、接近式光刻
光刻胶
光刻胶组分及功能
光引发剂
光引发剂吸收光能（辐射能）后经激发生成活性中间体，并进一步引发聚合反应或其他化学反应，是光刻胶的关键组分，对光刻胶的感光度、分辨率等起决定性作用。
树脂
光刻胶的基本骨架，是其中占比较大的组分，主要决定曝光后光刻胶的基本性能，包括硬度、柔韧性、附着力、曝光前后对溶剂溶解度的变化程度、光学性能、耐老化性、耐蚀刻性、热稳定性等。
溶剂
溶解各组分，是后续聚合反应的介质，另外可调节成膜。
单体
含有可聚合官能团的小分子，也称之为活性稀释剂，一般参加光固化反应，可降低光固化体系粘度并调节光固化材料的各种性能。
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