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为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD，采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势垒双金属沟槽(DMT)结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD，反向特性与Ni肖特基整流器相当，在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H-SiCSBD，击穿电
肖特基二极管厂家
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为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD，采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势垒双金属沟槽(DMT)结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD，反向特性与Ni肖特基整流器相当，在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H-SiCSBD，击穿电压达550V。
在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小;反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管(双二极管)式两种封装形式
肖特基二极管
优点：
1. 正向压降小 ： 通常0.4V左右
2. 反向恢复时间极短: 可达5纳秒
3. 大的正向电流: 1A---300A之间
缺点：
1.反向工作电压VR低: 通常200V以下
2.漏电流稍大些 : 仅有10mA
例1：B82-400
1.反向工作电压VRRM:40V
2.正向压降VF:0.55V(IF=2.0A)
3.漏电流IR=5mA(VRRM=40V)
4.整流电流IF=5A
5.浪涌电流IFSM=100A(T=10ms)
例2：1N5817,1N5818,1N5819
1.反向工作电压VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V
2.正向压降VF:0.6V(IF=1.0A)
3.漏电流IR=0.1mA(VRRM=40V)
4.整流电流IF=1A
5.浪涌电流IFSM=25A(T=10ms)
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