湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面耐难以清除。具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的
洁净室净化工程
湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面耐难以清除。具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。洁净空间的压力要高于非洁净空间的压力。洁净度级别高的空间的压力要高于相邻的洁净度级别低的空间的压力。相通洁净室之间的门要开向洁净度级别高的房间"。
1级：尘埃易使芯片失效或者稳定性下降，当金属尘埃落于集成电路上时，就可能造成短路。当空气中的酸性离子落在电路上时，可能将电路腐蚀，因此净化空调系统对微电子工业而言至关重要。此外，液晶、光纤的生产也需要1级洁净度的要求。具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。相对湿度越高,粘附的难去掉，但当相对湿度30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产温度范围为35—45%。
净化工程的一般施工程序：粉尘作业，无尘作业后，不允许交叉作业。否则会影响项目的质量。也就是说，在完成所有粉尘产生操作之后，可以进行无尘操作。现在国内的相关企业很多，所以净化工程企业之间的竞争也很激烈，因为科技的发展使得市场对净化工程的要求高了起来，从以前的价格竞争变成了现在的价值竞争。所以相关的净化工程企业应该提高自身的自主研发能力，不断的发展，才能适应这个竞争激烈的市场。
设计净化系统组织的原则是相邻二级过滤器的效率不能太接近，也不能相差太大。一般采用初效、中效、亚(或)三级过滤器。也可分四级，增加一级过滤器。相对湿度越高,粘附的难去掉，但当相对湿度30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产温度范围为35—45%。现在我们的经济科技在发展，同时带动了社会各行各业在告诉发展中。以净化工程这个行业为例，在目前呈现一片喜人的发展态势。
（作者： 来源：）
