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美制裁俄，韩国巨头三星、海力士损失上亿！
美国拜登对俄国祭出科技制裁令，意外牵连韩国芯片厂商及汽车业，其中，三星及SK 海力士等2家公司去年对俄出口价值885亿韩元的芯片，除非立刻找到替代市场，否则损失不可避免。另外去年韩国也对俄出口了价值15亿美元的汽车零组件，将同步受到打击。
《韩国先锋报》报道，美国拜登
全新原装国外原装芯片公司
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美制裁俄，韩国巨头三星、海力士损失上亿！
美国拜登对俄国祭出科技制裁令，意外牵连韩国芯片厂商及汽车业，其中，三星及SK 海力士等2家公司去年对俄出口价值885亿韩元的芯片，除非立刻找到替代市场，否则损失不可避免。另外去年韩国也对俄出口了价值15亿美元的汽车零组件，将同步受到打击。
《韩国先锋报》报道，美国拜登上周五（25日）公布对俄国的经济制裁措施，以削弱俄罗斯经济，这项制裁将限制可能增加俄罗斯推进其和航空航天业能力的产品出口，三星电子和SK海力士在内的韩国公司预计将受到附带损害。
同时，美国对俄国的制裁令将间接限制进入俄罗斯智慧型手机、笔电和数据中心的芯片销售，这会阻碍对消费电子产品的需求，并抑制芯片市场。韩国半导体与显示技术学会会长朴在根（Park Jae-geun）忧心整个消费电子产品的需求可能会放缓。
栅极长度 1nm 的垂直 MoS2 晶体管
“超大规模晶体管对下一代电子设备的开发很感兴趣。尽管已经报道了原子级薄的二硫化钼 (MoS 2 ) 晶体管，但栅极长度 1 nm 的器件的制造一直具有挑战性。在这里，我们使用石墨烯层的边缘作为栅电极展示了具有原子级薄沟道和亚 1 nm 物理栅极长度的侧壁 MoS 2晶体管。该方法使用通过化学气相沉积生长的石墨烯和 MoS 2薄膜在 2 英寸晶圆上制造侧壁晶体管。这些器件具有高达 1.02 × 10 5的开/关比和低至 117 mV dec -1的亚阈值摆幅值. 模拟结果表明，MoS 2侧壁有效沟道长度在开启状态下接近0.34 nm，在关闭状态下接近4.54 nm。这项工作可以促进摩尔定律，即下一代电子产品中晶体管的按比例缩小。”
恩智浦宣布关闭区电源系统研发部门
据Analog_Dialogue爆料，恩智浦已经宣布关闭区APS（Advanced Power System 电源系统）研发部门，原区的研发任务转至台湾和国外。
另外，研发人员安置方案为与公司内其他部门进行双向匹配，双向选择匹配成功的员工进行内部调动，除此之外无裁员赔偿方案。
据悉，该部门过去一年内人员稳定，研发业绩斐然，研发能力颇受美国团队的认可，并专注于消费电子类Power Delivery产品在的研发，拥有模拟电路设计工程师，模拟版图工程师， 数字电路设计工程师，数字电路验证工程师。
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