快恢复二极管检测方法
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快恢复二极管检测方法是
（1）测量反向恢复时间
测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF，脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号，利用电子示波器观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。
设器件内部的反向恢电荷为Qrr，有关系式
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电源快恢复二极管6级能效
快恢复二极管检测方法
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快恢复二极管检测方法是
（1）测量反向恢复时间
测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF，脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号，利用电子示波器观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。
设器件内部的反向恢电荷为Qrr，有关系式
trr≈2Qrr/IRM (5.3.1)
由式(5.3.1)可知，当IRM 为一定时，反向恢复电荷愈小，反向恢复时间就愈短。
快恢复结构与接线
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三个引脚的是个半桥，内部有二个二极管，可以并联、可以做桥接。
快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管， 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压(耐压值)较高。
3脚双色发光二极管可以发出3种颜色的光，除了单独的2种本色光一外，还有一种合成色光。它的合成原理是加色法，根据红，蓝，绿这3种基本色彩，这3种色彩的混合比例不同，可以合成出自然界中的所有光谱。彩色电视机的显象管的色彩就是这3种基本色混合出来的。
齐纳击穿
二极管常见的反向击穿情况——齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。
二极管基本术语
半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：折叠点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。
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