碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为：一代半导体材料（大部分为目前广泛使用的高纯度硅），二代化合物半导体材料（、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化） 。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来较被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。
碳
废弃耐火材料回收
碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为：一代半导体材料（大部分为目前广泛使用的高纯度硅），二代化合物半导体材料（、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化） 。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来较被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。
碳化硅砖是以SiC为主要原料制成的，含SiC72％～99％。分为黏土结合、Si3N4结合、Sialon结合、β-SiC结合、Si2ON2结合和重结晶等碳化硅砖。碳化硅砖是一种将高纯度碳化硅粗粉和高活性碳化硅微粉混合，经注浆成型后在2450℃高温下进行真空烧结使其再结晶而形成的高技术碳化硅材料。由于其材料纯度高（SIC≥99.5%）无中间结合相，因此它具有优良的高温机械性能，使用温度可达1700℃。
重结晶碳化硅材料适合作为窑具、窑炉配件在陶瓷、耐火材料、电瓷、电子等行业使用，它的显著的特点是其尺寸稳定性和高温承载能力，并有良好的节能效果。可制成棍棒、空心梁、棚板及异型件等产品。RSIC材料也具有很好的和抗侵蚀能力同时有很高的硬度和性，可以制成结构部件在冶金、机械、化工及领域应用。
哪些因素会影响碳化硅的质量
1、粘土成分的不同，在生产碳化硅时需要用到粘土的，质量好坏与碳化硅质量的关联度是非常大的，不同类型的粘土对于其体积密度以及抗压强度等都会有着较大的影响。
2、碳化硅质量的影响因素，还有就是在制作时成型压力的不同，在进行制作的时候如果是其他的因素相同的情况下，同成型压力对粘土质碳化硅制量的影响还是非常大的。
3、SiC粒度组成不同，SiC粒度组成也是影响粘土质碳化硅制品体积密度、显气孔率、抗压强度和导热性能等质量参数的重要因素之一。
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