湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面耐难以清除。净化工程的步的关键是设计，工程设计水平的好与坏将直接关系到整个工程之后的施工，还会影响净化工程今后的稳定性、可靠性、经济性。现在我们的经济科技在发展，同时带动了社会各行各业在告
净化工程设计
湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面耐难以清除。净化工程的步的关键是设计，工程设计水平的好与坏将直接关系到整个工程之后的施工，还会影响净化工程今后的稳定性、可靠性、经济性。现在我们的经济科技在发展，同时带动了社会各行各业在告诉发展中。以净化工程这个行业为例，在目前呈现一片喜人的发展态势。
1000级一般只对尘埃浓度做要求，用于光学器件，仪器等高精仪器等10000级，用于液压设备的生产，和一些食品饮料的生产。100000级，这个级别比较的低，对净化度要求不是很高，主要在印刷厂，包装厂等。相对湿度越高,粘附的难去掉，但当相对湿度30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产温度范围为35—45%。布置工艺的流程尽可能短，减少交叉往复，、物流走向合理。要配备人员净化室、物料净化室，除配备产品工序要求的用室外，还应配备洁具室、洗衣间、暂存室等，每间用室相互独立，净化工程的面积应在保证基本要求前提下，与生产规模相适应。
具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。而随着净化技术的发展，建设净化车间的技术含量也越来越高。除了在生产领域，净化工程技术还会逐渐应用于家庭、公共场合，为人们提供更洁净的生活空间布置工艺的流程尽可能短，减少交叉往复，、物流走向合理。要配备人员净化室、物料净化室，除配备产品工序要求的用室外，还应配备洁具室、洗衣间、暂存室等，每间用室相互独立，净化工程的面积应在保证基本要求前提下，与生产规模相适应。
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