二次电子像的阴影效应不明显这些不同细节的部位发出的二次电子数各不相同，从而产生亮暗不一的衬度。由于二次电子的能量小，用 E-T探测器检测时，仅需在其前面的栅网上加几百伏的正电位，常施加的电位为+250~+300V，即通过该电位就可把试样上发射出来的大部分二次电子吸引过来，所以二次电子像的阴影效应不明显。在二次电子探测器所对应的立体角内也能接收到相应的一小部分背散射电子，所以
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二次电子像的阴影效应不明显
这些不同细节的部位发出的二次电子数各不相同，从而产生亮暗不一的衬度。由于二次电子的能量小，用 E-T探测器检测时，仅需在其前面的栅网上加几百伏的正电位，常施加的电位为+250~+300V，即通过该电位就可把试样上发射出来的大部分二次电子吸引过来，所以二次电子像的阴影效应不明显。在二次电子探测器所对应的立体角内也能接收到相应的一小部分背散射电子，所以在二次电子像中也包含了一小部分背散射电子的信息，如图b中对应的背散射电子成分像的一些衬度信息也能在图a中反映出来，只不过图a中所显现的原子序数的衬度没有像图b中那么明显而已。
影响扫描电镜的分辨本领的主要因素
影响扫描电镜的分辨本领的主要因素有：
A. 入射电子束束斑直径：为扫描电镜分辨本领的极限。一般，热阴极电子的很小束斑直径可缩小到6nm，场发射电子可使束斑直径小于3nm。
B. 入射电子束在样品中的扩展效应：扩散程度取决于入射束电子能量和样品原子序数的高低。入射束能量越高，样品原子序数越小，则电子束作用体积越大，产生信号的区域随电子束的扩散而变大，从而降低了分辨率。
C. 成像方式及所用的调制信号：当以二次电子为调制信号时，由于其能量低(小于50 eV)，平均自由程短(10~100 nm左右)，只有在表层50～100 nm的深度范围内的二次电子才能逸出样品表面， 发生散射次数很有限，基本未向侧向扩展，因此，二次电子像分辨率约等于束斑直径。
小心地施加灯丝的加热电流
直热式的钨阴极发射通过对灯丝的直接加热，把电子从钨阴极材料中激发出来。若增加灯丝的加热电流，灯丝的温度就会随之上升，发射的束流也会随之加大。当灯丝的发射束流达到其高点时，即使再加大灯丝的加热电流，其发射的束流也很难再有明显增加，而只会增加灯丝的温度，从而加速灯丝的挥发，进而导致灯丝很快烧断。也就是说操作者应该小心地施加灯丝的加热电流，以获得既大又稳定的发射束流，而灯丝的温度又能恰到好处，不至于升得太高而造成过热，这个点就叫作饱和点。
扫描电子显微镜的制造是依据电子与物质的相互作用
扫描电子显微镜的制造是依据电子与物质的相互作用。当一束高能的入射电子轰击物质表面时，被激发的区域将产生二次电子、俄歇电子、特征x射线和连续谱X射线、背散射电子、透射电子，以及在可见、紫外、红外光区域产生的电磁辐射。同时，也可产生电子-空穴对、晶格振动 （声子）、电子振荡 （等离子体）。原则上讲，利用电子和物质的相互作用，可以获取被测样品本身的各种物理、化学性质的信息，如形貌、组成、晶体结构、电子结构和内部电场或磁场等。
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