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晶体谐振器与晶体振荡器的区别
1，晶体振荡器的厚度总是高于晶体谐振器。因为晶体振荡器内部直接置入起振芯片，无需外部元器件帮助起振，自身可以直接起振。
2，由于晶体振荡器可以依靠自身起振，因此在电子行业归类为主动元器件，而晶体谐振器需要依靠外部电容电阻起振，称之为被动元器件。
3，晶体振荡器种
LVPECL输出恒温晶振加工
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晶体谐振器与晶体振荡器的区别
1，晶体振荡器的厚度总是高于晶体谐振器。因为晶体振荡器内部直接置入起振芯片，无需外部元器件帮助起振，自身可以直接起振。
2，由于晶体振荡器可以依靠自身起振，因此在电子行业归类为主动元器件，而晶体谐振器需要依靠外部电容电阻起振，称之为被动元器件。
3，晶体振荡器种类复杂繁多，可分为以下几种：普通振荡器（SPXO）；温补振荡器（TCXO）；压控振荡器（VCXO），压控温补振荡器（VC-TCXO）；恒温振荡器（OCXO）。而晶体谐振器只有一种，就是自身。
4，晶体振荡器的精度高于晶体谐振器，因此两者论性能稳定度，莫属晶体振荡器出众。晶体振荡器中的温补振荡器较可达到0.5ppm，晶体谐振器较只能做到5ppm，且为DIP封装，SMD封装较仅仅只有10PPM。
5，无疑，晶体振荡器的成本高于晶体谐振器。
其次，晶体与晶振弄混会导致哪些误会。从上文的分析中我们可以得出结论，被动与主动的焊接电路是完全不同的，因晶体振荡器无需外接电容，晶体谐振器需外接电容电阻，如若两者混淆采购，电路将无法正常起振。
选择振荡器时需要考虑哪些因素
选择振荡器时需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。CMOS放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时，相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容，整个电源电流为2.2mA。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10mA ~60mA。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器，如MAX7375，工作在4MHz时只需不到2mA的电流。在特定的应用场合优化时钟源需要综合考虑以下一些因素：精度、成本、功耗以及环境需求。
如何区分晶体和晶振？
晶体通常为两脚和四脚晶振，以2520晶振，3225晶振，5032晶振等一类晶振而言，它们都拥有两脚或者四脚的封装，晶振为四脚或者四脚以上的，这里可以肯定的一点，两脚的一定为晶体。那当遇到都是四脚的贴片晶振，如何区分晶体和晶振呢？如果晶体或者晶振在电路板上，我们只需观察晶振的外部电路是否有其它元器件的连接，如若无，则为晶振（有源晶振）。如果用肉眼观察，简单而有力的一点则是观察晶振的厚度，一般的晶体厚度均在0.45mm左右，而由于晶振技术内置起振芯片，因此晶振的厚度要比晶体高。
晶体振荡器
1.通常只
