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射频半导体测试设备来电垂询「德普福电子」

因为ADC要在越来越高的频率下工作,所以中频采样结构的功耗变得比头一种超外差结构越来越高,并因此而越来越昂贵,这是中频采样结构的较主要的缺点。由于这个原因,基于中频采样的射频结构往往更适合那些在相对低频或者中频的应用,毕竟这些频段对成本的影响不大。不过随着科技的发展,尤其是CMOS工艺的引进,使得集成高的性能的器件和电路的价格越来越低,在不远的将来,中频采样结构将不再是一种昂贵
射频半导体测试设备







因为ADC要在越来越高的频率下工作,所以中频采样结构的功耗变得比头一种超外差结构越来越高,并因此而越来越昂贵,这是中频采样结构的较主要的缺点。由于这个原因,基于中频采样的射频结构往往更适合那些在相对低频或者中频的应用,毕竟这些频段对成本的影响不大。不过随着科技的发展,尤其是CMOS工艺的引进,使得集成高的性能的器件和电路的价格越来越低,在不远的将来,中频采样结构将不再是一种昂贵的选择。








为保证电气和机械结构的连续性,外导体接触面之间的力一般都很大。以N型连接器为例,当螺套的拧紧力矩Mt为标准的135N.cm时,由公式Mt=KP0×10-3N.m(K为拧紧力矩系数,此处取K=0.12),可以计算出外导体受到的轴向压力P0可达712N,如果外导体的强度较差,就有可能造成外导体连接端面磨损严重甚至变形溃缩。例如SMA连接器阳头外导体连接端面的壁厚较薄,仅0.25mm,所用材料多为黄铜,强度较弱,连接力矩稍大,连接端面就可能被过度挤压产生变形,损坏内导体或介质支撑;且连接器外导体的表面通常都有镀层,较大的接触力会破坏掉连接端面的镀层,导致外导体之间的接触电阻增大,连接器电气性能下降。另外如果射频同轴连接器的使用环境比较恶劣,一段时间后,外导体的连接端面上就会沉积一层灰尘,这层灰尘使外导体之间的接触电阻激增,连接器的插入损耗变大,电气性能指标下降。








在地球村概念兴起以后,全世界经济逐渐一体化,射频连接器的通用规范也就十分必要。不然,标准不统一,只会增加连接器发展的壁垒。射频同轴连接器转换器同其他电子元件想必,发展历史较短。1930年的时候,世界上出现了较早的射频同轴连接器UHF,到了打仗期间,由于急需,随着雷达、电台和微波通信的发展,产生了N、C、BNC、TNC、等中型系列,1958年后出现了SMA、SMB、SMC等小型化产品,1964年制定了美国的标准MIL-C-39012《射频同轴连接器总规范》,从此,射频同轴连接器开始向标准化、系列化、通用化方向发展。









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