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如图所示，ASEMI肖特基二极管解剖图放大后的芯片附近，在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小;反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其
肖特基二极管型号
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如图所示，ASEMI肖特基二极管解剖图放大后的芯片附近，在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小;反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
常见的肖特基有贴片肖特基二极管与直插型肖特基二极管。
首先一起来看一下贴片型肖特基二极管：SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，耐压顶多达到约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用恢复外延二极管(FRED)和超恢复二极管(UFRD)。
总而言之，肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒！
前者的优点还有低功耗，大电流，超高速！电特性当然都是二极管！
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.这两种管子通常用于开关电源。快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
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