天津锰系磷化加工工艺承诺守信 航天腾达价格公道

化学镀镍能在各种金属材料制作成的零部件上镀上一层金属保护层，对于材料的选择上很范围很大；不管所镀的零部件是什么形状的，只要这些零部件能接触到化学镀镍溶液，那么就能得到一个厚厚的、均匀的保护层；无论零部件的镀层要求的有多厚，化学镀镍技术都可以达到；化学镀镍技术不需要用电，因此它的操作更加的简单，更加节约生产成本；化学镀镍层几乎没有什么空隙，密度很大，更没有裂纹，不容易受到腐蚀；化学镀镍的镀层还有一些特殊的化学性能、磁性能和机械性能；化学镀镍层的抗腐蚀性更好，既抗酸又抗碱；性能非常的好，硬度相当于镀硬铬，而且价格要比镀硬铬低很多。

化学镀镍层的退除要比电

化学镀镍层的退除要比电镀镍层困难得多，特别是对于高耐蚀化学镀镍层更是如此。不合格的化学镀镍层应在热处理前就进行退除，否则镀层钝化后退镀更困难。要求退镀液必须对基体无腐蚀，其次镀层厚度、退镀速度、退镀成本等因素都要考虑。 化学退镀法： 化学退镀法不使工件受腐蚀，适用几何形状复杂的工件，且可做到退镀均匀。 配方1：浓HNO3，20～60℃。本液成本低，速度快的（30～40μm/h），毒性小。适用尺寸精密要求不高的工件退镀，防止带入水、退镀完毕迅速入盐酸中清洗后再用流动水清洗。 配方2：HNO3（1∶1），20～40℃，退速快（10μm/5～6min），适用不锈钢。 配方3：浓H000ml/L，NaCl20g/L，尿素10g/L（抑制NOX气体的生成），六次四胺5g/L，室温，退速20μm/h。 配方4：间磺酸钠60～70g/L，硫酸100～120g/L，硫酸钾0.5～1g/L，80～90。C，适用铜及铜合金工件的退镀，退镀表面为深棕色时，取出后充分清洗，再除棕色膜（NaCN30g/L，NaOH30g/L，室温）。 配方5：HNO3∶HF=4∶1（体积比），冬天适当加温，退速快，铁基体不腐蚀。但HF一定要用分析纯（用工业级HF配槽，易发生）。

QFP(QuadFlatPackage)构造的超小型化封装的

近年来，随着半导体输入端子数量的增加，基板向侧面端子的多腿化及信号线间距微细化的发展。多腿化的趋势使QFP(Quad Flat Package)构造盘间的节距狭小化制造的难度增加，特别是面阵列端子（面端子）化的需要，BGA(Ball Grid Array)构造的超小型化封装的开发。超小型化封装端子的表面处理的外部引出线需要增加适合的化学镀金/化学镀镍。化学镀金或电镀金的工艺方法比较而言，对于独立的电路图形上表面处理是适用的，镀层的厚度可以根据需要增加，这一点是非常有利的。

化学镀镍层表面形态即析出形态

研究表明，化学镀镍层表面形态即析出形态，是受催化活化处理的影响而变化，因此也就会直接影响焊料的焊接强度。所以，提出使用钯催化活化而不选择镍的析出程序的有效性。 二、实验方法 2.1 镀覆处理工艺条件 首先是对基板选择性析出的评价，覆铜箔层压板上的表面试验图形形成。试验用的PGA(Pin Grid Array)基板(板厚度为0.4mm、导线宽度为100μm、线间距为100μm、导体厚度为9μm)。根据基板表面状态，进行前处理，在65℃碱液中处理1分钟，在室温条件下进行酸活化1分钟。然后采用两种工艺处理方法进行化学镀镍。一种工艺方法，铜导体经催化处理后上面附有催化物钯，再进行化学镀镍，这是原来的工艺方法(工艺过程中含有催化活化一步)；另一种工艺方法，所使用的钯催化活化处理液中含有(0.05g/dm2)和少量络合剂，温度为25℃，处理1分钟然后实施化学镀镍。此镀液采用DMAB为还原剂和稀的化学镀镍溶液，于是镍沉积在铜导体图形上形成均匀的镍层。这是靠自身的催化活化作用沉积镍。此种工艺方法后来称之直接化学镀镍。镍沉积用的镀液为含有六个水的(0.9g/dm2)，DMAB(3.0g/dm2)和少量的添加剂，温度为45℃、实施1分钟的处理。在这个工艺中，化学镀镍层的厚度约5μm。化学镀镍液的组成和操作条件见表1所示。化学镀镍溶液中，使用次亚磷酸钠为还原剂，用硫酸和氨水调节镀液的pH值到5.5。 通过上述试验，将镀