陶瓷电容的制作原理是什么
用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器
CBB22电容
陶瓷电容的制作原理是什么
用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
电容器的发展简况
原始的电容器是1745年荷兰莱顿大学P.穆森布罗克发明的莱顿瓶，它是玻璃电容器的雏形。1874年德国德国M.鲍尔发明云母电容器。1876年英国D.斐茨杰拉德发明纸介电容器。1900年意大利L.隆巴迪发明瓷介电容器。30年代人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介电容器。1921年出现液体铝电解电容器，1938年前后改进为由多孔纸浸渍电糊的干式铝电解电容器。1949年出现液体烧结钽电解电容器，1956年制成固体烧结钽电解电容器。50年代初，晶体管发明后，元件向小型化方向发展。随着混合集成电路的发展，又出现了无引线的超小型片状电容器和其他外贴电容器。
高温条件下陶瓷电容器击穿机理：
半密封陶瓷电容器在高湿度环境条件下工作时，发生击穿失效是比较普遍的严重问题。由于陶瓷电容器银的迁移，陶瓷电容器的电解老化击穿已成为相当普遍的问题。热击穿现象多发生在管形或圆片形的小型瓷介质电容器中，因为击穿时局部发热严重，较薄的管壁或较小的瓷体容易烧毁或断裂。
潮湿对电参数恶化的影响：
空气中湿度过高时，水膜凝聚在电容器外壳表面，可使电容器的表面绝缘电阻下降。此外，对于半密封结构电容器来说，水分还可渗透到电容器介质内部，使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降。
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陶瓷电容的保质期
很多商品都会有一个保质期，产品也会有自己的一个使用寿命。那么陶瓷电容保质期有多久呢？相信很多电子爱好者都想知道。今天苏州春发电子的小编就来和大家一起来聊聊有关于陶瓷电容的保质期问题。
的生产设备，所生产的产品优良，获得国际产品认证，保证了年生产能力达上亿只的水平。
首先我们知道陶瓷电容主要材料是瓷片，瓷片是陶瓷粉末加压冲片后经过上千度高温烧结而成，随时间推移，外观是不会变化的，所以保存期是无限期，永1久的。但由于瓷介电容器所采用的大多数是二类陶瓷介质，都具有铁电特性并呈现出一个居里温度特性 。因此，陶瓷电容有老化衰减现象。
介质在实际陶瓷中通常被扩大到一个有限的温度范围之内，但在所有的情况下，它是电容量在温度曲线上的某一个峰值 。
在热波动的影响下，介质冷却至居里温度之后的很长一段时间内，晶体点阵中的离子会连续运动到势能较小的位置，这就引起了电容量老化现象。
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