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强元芯电子(广东)有限公司
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整流桥,桥堆,肖特基二极管,超快恢复二极管
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上海肖特基二极管封装来电垂询「强元芯电子」
MBR10200FCT肖特基二极管台湾ASEMI 编辑:L MBR10200FCT肖特基二极管台湾ASEMI,本产品采用俄罗斯进口Mikron芯片,电性参数为10A200V,内含芯片个数有2个,芯片尺寸达86MIL,工作温度为-40℃-170℃。有3条引脚,两边脚输入,中间脚输出。ASEMI肖特基二极管全部进口技术的芯片材料,从根本上保证产品的性能,
肖特基二极管封装
MBR10200FCT肖特基二极管台湾ASEMI
编辑:L
MBR10200FCT肖特基二极管台湾ASEMI,本产品采用俄罗斯进口Mikron芯片,电性参数为10A200V,内含芯片个数有2个,芯片尺寸达86MIL,工作温度为-40℃-170℃。有3条引脚,两边脚输入,中间脚输出。ASEMI肖特基二极管全部进口技术的芯片材料,从根本上保证产品的性能,内置芯片全部是耐高抗冲击的技术要求,确保开机瞬
间的大电流与电路电压叠加等因素影响时依然能正常工作。
ASEMI低压降肖特基二极管SB10100LCT
ASEMISB10100LCT是一款拥有超低正向压降的肖特基二极管,其电性参数为10A 100V,封装为TO-220AB封装。
一款低压降的肖特基二极管,普通的肖特基二极管压降在0.8V左
右,已经比普通的二极管1.1V的电压降低了很多,而SB10100LCT的压降更是降
低到0.56V,比普能的二极管消耗低了近40%,大大降低了电路中不必要的损耗。
ASEMI低压降肖特基二极管SB10100LFCT
ASEMI低压降肖特基二极管SB10100LFCT采用的是ITO-220AB全塑封装,SB10100LFCT采用进口俄罗斯米克朗56mil双芯片,高抗冲击性能与一致性能提升40%以上。保证其参数可以达到:10A为正向整流,100V为反向耐电压,150A峰值浪涌电流,0.54v正向压降以及20UA漏电流。
这款封装很大优势在于绝缘性与阻燃性表现非常好。采用了环氧树脂封装材料,封装强度高保障内部芯片、焊片、框架,不氧化不碎裂不漏电。
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