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上海肖特基二极管封装来电垂询「强元芯电子」

MBR10200FCT肖特基二极管台湾ASEMI 编辑:L MBR10200FCT肖特基二极管台湾ASEMI,本产品采用俄罗斯进口Mikron芯片,电性参数为10A200V,内含芯片个数有2个,芯片尺寸达86MIL,工作温度为-40℃-170℃。有3条引脚,两边脚输入,中间脚输出。ASEMI肖特基二极管全部进口技术的芯片材料,从根本上保证产品的性能,
肖特基二极管封装









MBR10200FCT肖特基二极管台湾ASEMI

编辑:L


MBR10200FCT肖特基二极管台湾ASEMI,本产品采用俄罗斯进口Mikron芯片,电性参数为10A200V,内含芯片个数有2个,芯片尺寸达86MIL,工作温度为-40℃-170℃。有3条引脚,两边脚输入,中间脚输出。ASEMI肖特基二极管全部进口技术的芯片材料,从根本上保证产品的性能,内置芯片全部是耐高抗冲击的技术要求,确保开机瞬间的大电流与电路电压叠加等因素影响时依然能正常工作。












ASEMI低压降肖特基二极管SB10100LCT


ASEMISB10100LCT是一款拥有超低正向压降的肖特基二极管,其电性参数为10A 100V,封装为TO-220AB封装。一款低压降的肖特基二极管,普通的肖特基二极管压降在0.8V左右,已经比普通的二极管1.1V的电压降低了很多,而SB10100LCT的压降更是降低到0.56V,比普能的二极管消耗低了近40%,大大降低了电路中不必要的损耗。















ASEMI低压降肖特基二极管SB10100LFCT


ASEMI低压降肖特基二极管SB10100LFCT采用的是ITO-220AB全塑封装,SB10100LFCT采用进口俄罗斯米克朗56mil双芯片,高抗冲击性能与一致性能提升40%以上。保证其参数可以达到:10A为正向整流,100V为反向耐电压,150A峰值浪涌电流,0.54v正向压降以及20UA漏电流。这款封装很大优势在于绝缘性与阻燃性表现非常好。采用了环氧树脂封装材料,封装强度高保障内部芯片、焊片、框架,不氧化不碎裂不漏电。












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