电容位移传感器原理capaNCDT电容位移传感器原理
capaNCDT电容式位移传感器基于平板电容原理。电容的两极分别是传感器和与之相对的被测物体。如果有稳定交流电通过传感器，输出交流电的电压会与传感器到被测物体之间的距离成正比关系，从而可以通过测量电压的变化得到距离信息。
电容位移传感器是一种非接触电容式原理的精密测量仪器，具有一般非接触式仪器所共有的无磨擦、无损磨特点外，还具
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电容位移传感器原理capaNCDT
电容位移传感器原理
capaNCDT电容式位移传感器基于平板电容原理。电容的两极分别是传感器和与之相对的被测物体。如果有稳定交流电通过传感器，输出交流电的电压会与传感器到被测物体之间的距离成正比关系，从而可以通过测量电压的变化得到距离信息。
电容位移传感器是一种非接触电容式原理的精密测量仪器，具有一般非接触式仪器所共有的无磨擦、无损磨特点外，还具有信噪比大，灵敏度高，零漂小，频响宽，非线性小，精度稳定性好，抗电磁干扰能力强和使用操作方便等优点。
实际应用当中, 源于的磁屏蔽环设计，德国米铱公司的电容式传感器可以实现近乎的线性测量。但是，电容传感器要求探头到被测物体之间的电介质必须均匀恒定。测量系统对于测量范围内的电介质变化非常敏感。德国米铱公司的电容式位移传感器也可以用于绝缘体的测量，源于这些绝缘体会改变测量间隙内的介电常数。通过后续电路的调整，即使测量绝缘体，也可以得到几乎线性的信号输出。源于电磁转化过程，电容传感器可以测量所有金属。电容测量系统主要测量平板电阻的阻抗值，阻抗值与探头到被测物体之间的距离成正比。
传统电容式传感器，会从电极侧面散发磁力线。这中磁场会导致错误的测量结果。德国米铱公司的电容式传感器带有一个接地屏蔽环，可以有效减少侧面磁场和边界效应，从而得到更加准确的测量结果。从接地屏蔽环发出的磁力线不会影响测量结果。
新工艺的采用在发展新型传感器中
新工艺的采用
在发展新型传感器中，离不开新工艺的采用。新工艺的含义范围很广，这里主要指与发展新兴传感器联系特别密切的微细加工技术。该技术又称微机械加工技术，是近年来随着集成电路工艺发展起来的，它是离子束、电子束、分子束、激光束和化学刻蚀等用于微电子加工的技术，目前已越来越多地用于传感器领域，例如溅射、蒸镀、等离子体刻蚀、化学气体淀积(CVD)、外延、扩散、腐蚀、光刻等，迄今已有大量采用上述工艺制成的传感器的国内外报道。
电涡流传感器测量电路和特性
电涡流传感器测量电路和特性
电涡流传感器的谐振调幅电路如图2（a）所示。这种方法是将传感器线圈的等效电感的变化转换为电压变化。传感器线圈与电容并联组成LC并联谐振回路。晶体振荡器产生一个频率及幅值稳定的高频信号来激励谐振回路。LC回路的输出电压为：
u=i0F(Z)
式中i0为高频激励电流，Z为LC回路的阻抗。可以看出，LC回路的阻抗Z越大，回路的输出电压越大。
当改变金属导体与传感器线圈之间的距离x时，引起传感器线圈等效电感L发生变化，即回路的等效阻抗Z变化，从而使谐振回路输出电压u变化。谐振回路的输出电压u就成为距离x的单值函数，只要测出的变化量就能确定金属导体与线圈之间距离x的变化量。如图2(b)所示。x-u曲线的非线性程度受线圈尺寸参数的影响，合理设计线圈尺寸参数能使传感器的非线性误差较小，而又不会使灵敏度降得太多。从图2(b)可以看出，电涡流传感器的输出特性是一条光滑的曲线，这条曲线的形状比较近似于直线，可以用一条接近于该曲线的直线来代替。
什么叫扩散硅压力传感器
什么叫扩散硅压力传感器
扩散硅压力传感器工作原理：硅单晶材料在受到外力作用产生极微小应变时（一般步于400微应变），其内部原子结构的电子能级状态会发生变化，从而导致其电阻率剧烈变化（G因子突变）。
用此材料制成的电阻也就出现极大变化，这种物理效应称为压阻效应。利用压阻效应原理，采用集成工艺技术经过掺杂、扩散，沿单晶硅片上的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥，利用硅材料的弹性力学特性，在同一切硅材料上进行各向异性微加工，就制成了一个集力敏与力电转换检测于一体的扩散硅传感器。
给传感器匹配一放大电路及相关部件，使之输出一个标准信号，就组成了一台完整的变送器。
扩散硅敏感膜片的弹性形变量在微应变数量级，膜片zui大位移量在来微米数量级，且无机械磨损，无疲劳，无老化。平均无故障时间长，性能稳定，可靠性高
简单介绍：
HQ316小巧型压力变送器采用的感压芯片，配合的电路处理和温度补偿技术，将压力变化转化为线性的电流或电压信号。产品体积小巧，易于安装，采用不锈钢外壳隔离防腐，适于测量与接触部分材质相兼容的气体和液体等介质，它可以用来测量表压、负压和绝压。
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