压敏电阻：它是以ZnO为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻，当作用在其两端的电压达到一定数值后，电阻对电压十分敏感。它的工作原理相当于多个半导体P-N的串并联。压敏电阻的特点是非线性特性好（I=CUα中的非线性系数α），通流容量大（～2KA/cm2），常态泄漏电流小（10-7～10-6A），残压低（取决于压敏电阻的工作电压和通流容量），对瞬时过电压响应时间快（～10-8s），无续
40/G-电源电涌保护器
压敏电阻：它是以ZnO为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻，当作用在其两端的电压达到一定数值后，电阻对电压十分敏感。它的工作原理相当于多个半导体P-N的串并联。压敏电阻的特点是非线性特性好（I=CUα中的非线性系数α），通流容量大（～2KA/cm2），常态泄漏电流小（10-7～10-6A），残压低（取决于压敏电阻的工作电压和通流容量），对瞬时过电压响应时间快（～10-8s），无续流。压敏电阻的技术参数主要有：压敏电压（即开关电压）UN，参考电压Ulma；残压Ures；残压比K（K=Ures/UN）；大通流容量Imax；泄漏电流；响应时间。压敏电阻的使用条件有：压敏电压：UN≥[（√2×1.2）/0.7]U0（U0为工频电源额定电压）小参考电压：Ulma≥（1.8～2）Uac （直流条件下使用）Ulma≥（2.2～2.5）Uac（在交流条件下使用，Uac为交流工作电压）压敏电阻的大参考电压应由被保护电子设备的耐受电压来确定，应使压敏电阻的残压被保护电子设备的而损电压水平，即（Ulma）max≤Ub/K，上式中K为残压比，Ub为被保护设备的而损电压。
级防雷器可以对于直接雷击电流进行泄放，或者当电源传输线路遭受直接雷击时传导的巨大能量进行泄放，对于有可能发生直接雷击的地方，必须进行CLASS—I的防雷。第二级防雷器是针对前级防雷器的残余电压以及区内感应雷击的防护设备，对于前级发生较大雷击能量吸收时，仍有一部分对设备或第三级防雷器而言是相当巨大的能量会传导过来，需要第二级防雷器进一步吸收。同时，经过级防雷器的传输线路也会感应雷击电磁脉冲辐射LEMP，当线路足够长感应雷的能量就变得足够大，需要第二级防雷器进一步对雷击能量实施泄放。第三级防雷器是对LEMP和通过第二级防雷器的残余雷击能量进行保护。
3.电源SPD的线路安装3.1安装位置按照IEC131221 (L PZ)的概念，当电气线路穿过两防雷区交界处时要安装浪涌保护器，根据设备的不同位置和耐压水平，可将保护级别分为三级或更多，但保护器必须很好的配合，以便按照它们耐能量的能力在各浪涌保护器之间分配可接受的承受值和原始的闪电威胁值有效地减至需要保护的设备的耐电涌能力。但由于工艺要求或其它原因，被保护设备的安装位置不会正好设在界面处而是设在其附近，在这种情况下，当线路能承受所发生的电涌电压时，浪涌保护器可安装在被保护设备处，而线路的金属保护层或屏蔽层宜首先于界面处做一次等电位连接。在实际的工作中，一般都将电源浪涌保护器设在总配电房、各楼层的配电箱中及被保护设备前，均取得了较好的防护效果。3.1.1在LPZ0区与L PZ1区交界处，在从室外引来的线路上安装的SPD应选用符合T1级分类试验(即通过SPD的10/350us波形的雷电流幅值)的产品。通过对建筑物的防雷类别确定雷电流的幅值及雷电流直击在该建筑后在各种管道、线路上的能量分配来确定其通流量的取值。
3.1.2在LPZ1区与L PZ2区交界处，分配电盘处或UPS前端宜安装第二级SPD,可选用经T1或T2级分类试验的产品。其标称放电电流In通常为20KA(8/20us)。3.1.3在重要的终端设备或精密敏感设备处，宜安装第三级SPD,可选用经T1或T2级分类试验的产品，其标称放电电流In通常为10KA (8/20us) ,同时具有更短的响应时间。3.2间距与能量匹配问题在安装SPD时要考虑两级之间的能量匹配问题，在一般情况下，当在线路上多处安装SPD且无准确数据时，电压开关型SPD与限压型SPD之间的线路长度不宜小于10米，限压型SPD之间的线路长度不宜小于5米。还应注意以下几点：3.2.1SPD采用低-高配置时，第二级SPD几乎没有用处，而采用高-低配置时，能前后配合分流。3.2.2随着两极间距的缩短，前级分流作用下降，后级通过的电流和能量上升，当距离过近时，前级几乎不起作用。此时，应在两级之间采取退耦措施，例如在两个SPD之间安装一个电感阻抗器件，可以起到退耦作用。3.3安装方式： 宜采用'V '型连接方式(凯文法)。如图《安装方式》所示
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